[发明专利]微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法

说明书

本发明提供了一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，属于半导体技术领域，铜基微同轴结构包括矩形外导体、两个内导体段，以及阻抗匹配段；其中，矩形外导体设有容腔，且两端分别设有与容腔连通的微同轴接口；两个内导体段分别位于两个微同轴接口内部，且与微同轴接口的内壁隔绝；阻抗匹配段设于容腔内，中部与矩形外导体的内壁连接，两端分别与两个内导体段对接，用于传递微波信号以及将内导体段的热量传递至矩形外导体。本发明提供的一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，能够提高微同轴内导体段的散热能力，避免因高温而导致内导体段坍塌失效的现象，提高微同轴结构及微同轴传输线路的耐功率能力。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，更具体地说，是涉及一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法。

背景技术

目前，在微同轴传输系统中，由于微同轴内导体段很细，具有较大的欧姆电阻，所以在通过大功率微波信号时，会因欧姆损耗在内导体上产生一定热量，微同轴内导体只在两端与外部器件键合或焊接连接，介质条材料为有机介质，其热导率较低，因此通过热传递进行散热的能力很差，主要通过效率很低的热辐射方式进行散热，从而导致内导体温度过高，甚至会超过支撑介质玻璃化温度，从而导致介质条融化，使内导体发生坍塌而失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，旨在解决现有技术的微同轴结构散热能力差的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种铜基微同轴结构，包括矩形外导体、两个内导体段，以及阻抗匹配段；其中，矩形外导体设有容腔，且两端分别设有与容腔连通的微同轴接口；两个内导体段分别位于两个微同轴接口内部，且与微同轴接口的内壁隔绝；阻抗匹配段设于容腔内，中部与矩形外导体的内壁连接，两端分别与两个内导体段对接，用于传递微波信号以及将内导体段的热量传递至矩形外导体。

作为本申请另一实施例，微同轴接口内设有用于支撑内导体段的支撑体。

作为本申请另一实施例，阻抗匹配段包括：

第一阶层，设于矩形外导体的内部底壁，且位于两个微同轴接口的连线上；

第二阶层，连接于第一阶层的顶面，且第二阶层的两端分别与两个内导体段对接。

作为本申请另一实施例，第二阶层的厚度等于第一阶层的厚度，第二阶层的面积大于第一阶层的面积。

作为本申请另一实施例，矩形外导体为沿其自身中心线的轴对称结构；阻抗匹配段为以两个微同轴接口中心的连线的垂直平分线为中心线的轴对称结构。

作为本申请另一实施例，矩形外导体的对称轴上开设有多个槽口，且槽口与容腔连通。

作为本申请另一实施例，槽口位于矩形外导体的各个顶角位置，以及矩形外导体沿其长度方向的各个棱边的中点位置。

本发明提供的铜基微同轴结构的有益效果在于：与现有技术相比，本发明一种铜基微同轴结构，内导体段与矩形外导体通过阻抗匹配段连接，在内导体段与矩形外导体之间能够建立直接的热传递通道，使内导体段上因欧姆损耗产生的热量通过阻抗匹配段快速传递至矩形外导体上，再经矩形外导体传递至外部安装壳体上，从而提高内导体段的散热能力，避免内导体段因温度过高而导致坍塌失效的现象，提高微同轴的耐功率能力；

矩形外导体的两端均设有微同轴接口，能够在微同轴传输线路上插入一个或多个本发明提供的铜基微同轴结构，从而提高传输线路中微同轴内导体段的散热能力，进而提高耐功率能力。

本发明还提供了一种微同轴传输线路，包括微同轴线以及串接于微同轴线上的一个或多个上述铜基微同轴结构。

本发明提供的微同轴传输线路的有益效果与上述铜基微同轴结构的有益效果相同，在此不再赘述。