[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，包括：

形成包括凹槽的空隙填充目标结构物的步骤；

形成对所述凹槽进行加衬的第一物质的步骤；

为了形成杂质阻挡物质而进行所述第一物质的表面处理的步骤；及

在所述杂质阻挡物质上形成对所述凹槽进行空隙填充的第二物质的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述表面处理包括对所述第一物质的表面进行氮化的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述杂质阻挡物质在所述第一物质与第二物质之间提供连续的界面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述第一物质包含金属，所述杂质阻挡物质包括所述金属的氮化物。

5.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述第一物质包括钨，所述杂质阻挡物质包括所述钨的氮化物。

6.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述第一物质及第二物质包括钨，所述杂质阻挡物质包括钨氮化物。

7.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述形成包括凹槽的空隙填充目标结构物的步骤包括：

在基板上形成以第一绝缘层、牺牲层及第二绝缘层的顺序层叠的堆叠结构物的步骤；

蚀刻所述堆叠结构物而形成缝隙的步骤；及

为了在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间形成水平型凹槽，通过所述缝隙选择性地去除所述牺牲层的步骤，

所述水平型凹槽具有对于所述基板表面平行的深宽比。

8.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述表面处理包括等离子体氮化工序。

9.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

在所述形成第一物质的步骤之前，还包括：

形成对所述凹槽进行加衬的屏障物质的步骤。

10.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

所述第一物质包括含有低浓度氟的钨层，所述第二物质包括含有高浓度氟的钨层，且所述氟的浓度差异因所述第二物质形成得比所述第一物质厚而获得。

11.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，

在所述形成第二物质的步骤之前，还包括：

在进行所述表面处理而得的结果物上，再次进行所述第一物质形成步骤的步骤。

12.一种半导体装置，包括：

层叠结构物，其包括水平型凹槽；及

导电图案，其填充所述水平型凹槽，

所述导电图案包括：

核生成物质，其对所述水平型凹槽进行加衬；

主体物质，其在所述核生成物质上填充所述水平型凹槽；以及

杂质阻挡物质，其在所述核生成物质与主体物质之间提供连续的界面，阻断从所述主体物质扩散的杂质。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述杂质阻挡物质包括氟阻断物质。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述杂质阻挡物质包括从所述核生成物质经等离子体氮化处理而成的物质。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述杂质阻挡物质、核生成物质及主体物质包括同种的金属。