[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成导电材料薄膜；

在导电材料薄膜背离衬底基板的一侧形成光刻胶薄膜；

采用半色调掩膜板对光刻胶薄膜进行曝光；

对曝光后的光刻胶薄膜进行显影，以得到第一光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层包括用于制作栅极的第一覆盖部分、用于制作信号线的第二覆盖部分和位于所述第二覆盖部分两侧且与所述第二覆盖部分相连的第三覆盖部分，所述第三覆盖部分的厚度小于所述第二覆盖部分的厚度；

对所述导电材料薄膜的未被所述第一光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得第一刻蚀图案，其中，所述第一刻蚀图案包括第一部分和第二部分，所述第一部分对应所述导电材料薄膜上制作栅极的区域，所述第二部分对应导电材料薄膜制作信号线的区域；其中，所述第一部分的上表面在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一覆盖部分在所述衬底基板上的正投影面积，所述第二部分的上表面在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第二覆盖部分和所述第三覆盖部分在所述衬底基板上的正投影面积；

对所述第一光刻胶层进行灰化处理，以去除所述第三覆盖部分，获得第二光刻胶层，所述第二光刻胶层仅包括所述第一覆盖部分和所述第二覆盖部分；

对所述第一刻蚀图案的未被所述第一覆盖部分和所述第二覆盖部分所述覆盖的部分进行刻蚀，以获得所述栅极和信号线，其中，所述栅极和所述信号线均具有相对设置的第一表面和第二表面，且所述第一表面相对于所述第二表面更远离所述衬底基板；

所述栅极的第一表面在所述衬底基板上的正投影面积小于第二表面在所述衬底基板上的正投影面积，所述信号线的第一表面在所述衬底基板上的正投影面积小于第二表面在所述衬底基板上的正投影面积。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述导电材料薄膜背离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶层，具体包括：

在所述导电材料薄膜背离所述衬底基板的一侧形成光刻胶薄膜；

采用半色调掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光；

对曝光后的所述光刻胶薄膜进行显影，以得到所述第一光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述衬底基板上形成导电材料薄膜的步骤之前，还包括：

在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层和用于制作栅极绝缘层的薄膜。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述第一刻蚀图案的未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得所述栅极和信号线的步骤之后，还包括：

对所述用于制作栅极绝缘层的薄膜的未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得栅极绝缘层的图形。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述用于制作栅极绝缘层的薄膜的未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得栅极绝缘层的图形的步骤之后，还包括：

对所述有源层未被所述栅极绝缘层覆盖的区域进行导体化处理；

剥离剩余的所述第二光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述有源层未被所述栅极绝缘层覆盖的区域进行导体化处理的步骤之后，还包括：

在所述衬底基板上依次形成层间介质层、源极和漏极。

7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述用于制作栅极绝缘层的薄膜的未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得栅极绝缘层的图形的步骤中，采用自对准工艺对所述用于制作栅极绝缘层的薄膜进行刻蚀。

8.根据权利要求3-5任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层采用的材料包括氧化铟镓锌。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制备方法制备而成。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。