[发明专利]一种织物增强的超薄硫化物电解质片、其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种织物增强的超薄硫化物电解质片的制备方法，包括以下步骤：

将聚合物纺丝制得聚合物织物三维骨架；将硫化物电解质粉分散在溶剂中，得到硫化物电解质悬浮液；

将所述硫化物电解质悬浮液复合在聚合物织物三维骨架中，干燥，再加压致密化，得到织物增强的超薄硫化物电解质片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫化物电解质粉选自式Ⅰ通式的硫化物固体电解质、式Ⅱ通式的硫化物固体电解质、式Ⅰ通式的硫化物固体电解质的改性物和式Ⅱ通式的硫化物固体电解质的改性物中的一种或多种；

所述式Ⅰ与Ⅱ所示硫化物电解质的改性物质的制备方法优选选自阴阳离子取代、掺杂和空位调控中的一种或多种；

x₁Li_aB·y₁C_cD_d·z₁P₂S₅ 式Ⅰ；

式Ⅰ中，0≤x₁100，0≤y₁100，0≤z₁100，a＝1或2，c＝1或2，d＝1、2或5，所述B为S、Cl、Br或I，C为Li、Si、Ge、P、Sn或Sb，D为Cl、Br、I、O、S或Se；

x₂Na_pE_e·y₂M_mN_n·z₂J_jQ_q·uV 式Ⅱ；

式Ⅱ中，0≤x₂100，0≤y₂100，0≤z₂100，0≤u100，p＝1或2，e＝0、1、2或5，m＝1或2，n＝0、1、2或5，j＝1或2，q＝0、1、2或5，所述E为S、Cl、I或Br，M为P、Sb、Se、Ge、Si或Sn，N为P、Sb、Se、Ge、Si或Sn，J为P、Sb、Se、Ge、Si或Sn，Q为P、Sb、Se、Ge、Si或Sn，V为S或P；且E和V中至少有一个为S。