[发明专利]一种改变材料表面电场的方法有效
| 申请号： | 201911228539.1 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111029255B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 田传山;苏雨聃;徐影 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 尹慧晶 |
| 地址： | 200438 上海市杨浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改变 材料 表面 电场 方法 | ||
1.一种改变材料表面电场的方法，其特征在于是在衬底表面修饰具有不连续人工结构的修饰层；通过对修饰层材料、不连续人工结构的形状、尺寸及分布方式的选择来实现调控人工结构阵列所产生的表面电场的强度和空间分布的改变；其中，修饰层的材料为具有电偶极性的材料；所述不连续人工结构为不连续圆盘结构或不连续正方形盘结构，所述圆盘结构的直径和厚度比为0.1~1000：1，所述正方形盘结构的边长和厚度比为0.1~1000：1；所述不连续人工结构分布为正方形阵列、三角阵列或六角阵列；所述的不连续人工结构为不连续圆盘结构时，所述正方形阵列的人工结构间距与圆盘直径之比为1~100：1；三角阵列的人工结构间距与圆盘直径之比为1~100：1；六角阵列的人工结构间距与圆盘直径之比为1~100：1；所述不连续人工结构为不连续正方形盘结构时，所述正方形阵列的人工结构间距与正方形盘边长之比为1~100：1；三角阵列的人工结构间距与正方形盘边长之比为1~100：1；六角阵列的人工结构间距与正方形盘边长之比为1~100：1。
2.根据权利要求1所述的改变材料表面电场的方法，其特征在于所述的具有电偶极性的材料为有机铁电材料或无机铁电材料。
3.根据权利要求2所述的改变材料表面电场的方法，其特征在于所述的有机铁电材料为聚偏二氟乙烯；无机铁电材料为ABO3型双氧化物晶体、含氢晶体或含铅晶体中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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