[发明专利]平板探测器像素结构及其制备方法

权利要求书

1.一种平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括如下步骤：

S1：提供基底，所述基底上定义有TFT区域及二极管区域，于所述基底上的所述TFT区域形成漏极及源极，于所述基底上的所述二极管区域形成底电极，所述漏极与所述源极之间形成沟道，所述源极与所述底电极连为一体；

S2：于所述漏极、源极及底电极上和所述沟道中形成非晶铟镓锌氧化物有源层；

S3：于所述沟道所在区域的所述非晶铟镓锌氧化物有源层上依次形成TFT栅绝缘层及TFT栅电极层；

S4：以所述TFT栅电极层为遮罩，对所述非晶铟镓锌氧化物有源层进行N型重掺杂，以使所述漏极、源极及底电极上的所述非晶铟镓锌氧化物有源层分别形成为第一接触层、第二接触层及二极管的电子传输层，所述第二接触层与所述电子传输层连为一体；

S5：于所述TFT区域形成TFT保护层，且基于所述TFT保护层形成二极管的过孔；

S6：于步骤S5所得结构的表面上依次形成二极管的有机有源层及空穴传输层；

S7：于所述二极管区域的所述空穴传输层上形成透明顶电极层；

S8：于步骤S7所得结构的表面上形成像素保护层，并于所述像素保护层上形成与所述透明顶电极层互连的公共电极。

2.根据权利要求1所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：于步骤S8所得结构的表面上形成最终保护层。

3.根据权利要求1所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于：步骤S1中，形成所述漏极、源极及底电极之前，还包括于所述基底上形成缓冲层的步骤。

4.根据权利要求1所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中形成所述漏极、源极及底电极的具体方法包括：

S11：采用物理气相沉积工艺于所述基底上沉积至少一层金属层；

S12：图形化所述金属层，形成所述漏极、源极及底电极。

5.根据权利要求4所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于：所述金属层的材料包括由钼、铬、铜、铝及铝铌、铝钕合金所组成的群组中的一种，采用湿法或干法刻蚀图形化所述金属层。

6.根据权利要求1所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于：步骤S2中，采用物理气相沉积工艺或溶液法形成所述非晶铟镓锌氧化物有源层。

7.根据权利要求1所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于，步骤S3中形成所述TFT栅绝缘层及TFT栅电极层的具体方法包括：

S31：采用溶液法或化学气相沉积工艺于所述非晶铟镓锌氧化物有源层上制备TFT栅绝缘层；

S32：采用物理气相沉积工艺于所述TFT栅绝缘层上沉积TFT栅电极层；

S33：图形化所述TFT栅绝缘层及TFT栅电极层。

8.根据权利要求7所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于：步骤S31中所述TFT栅绝缘层为无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜，且采用化学气相沉积工艺沉积所述无机绝缘薄膜，采用溶液法制备所述有机绝缘薄膜。

9.根据权利要求7所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于：步骤S32中所述TFT栅电极层为单层结构或两层以上的叠层结构，所述TFT栅电极层的材料包括由钼、铬、铜、铝及铝铌、铝钕合金所组成的群组中的一种。

10.根据权利要求1所述的平板探测器像素结构的制备方法，其特征在于，步骤S5中形成所述TFT保护层及过孔的具体方法包括：

S51：采用溶液法或化学气相沉积工艺于步骤S4所得结构的表面上制备TFT保护层；

S52：图形化所述TFT保护层，以使所述TFT保护层形成于所述TFT区域，且基于所述TFT保护层形成所述二极管的过孔。