[发明专利]金属与聚合物的连接方法、连接结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201911230614.8 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110829174A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赖铭智;岳光礼;向宇;许聪基;高逸群 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 聚合物 连接 方法 结构 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属与聚合物的连接方法，其特征在于，先在所述聚合物表面制备作为过渡层的氮化硅薄膜，然后在氮化硅薄膜上制备所述金属。
2.如权利要求1所述连接方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为100～400nm。
3.如权利要求1所述连接方法，其特征在于，使用溅射或蒸镀工艺在氮化硅薄膜上制备所述金属。
4.如权利要求1所述连接方法，其特征在于，使用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述聚合物表面制备作为过渡层的氮化硅薄膜。
5.一种金属与聚合物的连接结构，其特征在于，在金属与聚合物之间的接合面上设置有一层作为过渡层的氮化硅薄膜。
6.如权利要求5所述连接结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为100～400nm。
7.如权利要求5所述连接结构，其特征在于，所述金属通过溅射或蒸镀工艺制备于所述氮化硅薄膜上。
8.如权利要求5所述连接结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜通过等离子体增强化学气相沉积工艺制备在所述聚合物表面。
9.一种半导体器件，具有附着于聚合物表面的金属焊盘，其特征在于，至少一个金属焊盘与所述聚合物之间为如权利要求5～8任一项所述连接结构。
10.如权利要求9所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为垂直腔面发射激光器。
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