[发明专利]晶体生长装置及坩埚

权利要求书

1.一种晶体生长装置，具备：

坩埚，具有主体部和辐射率比所述主体部低的低辐射部；和

加热部，位于所述坩埚的外侧，利用辐射热来加热所述坩埚，

所述低辐射部覆盖在所述坩埚不具有低辐射部的情况下成为坩埚的加热中心的第一点的外表面。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，

所述低辐射部的辐射率为所述主体部的辐射率的0.6倍以下。

3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，

所述主体部是石墨，

所述低辐射部是含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W以及Zr的元素的单体、碳化物、氮化物或者混合物。

4.根据权利要求1所述的晶体生长装置，

所述主体部的外表面呈凹凸，

所述低辐射部的外表面是平坦面。

5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，

所述低辐射部的高度为从所述第一点朝向所述加热部作出的垂线的距离的2倍以上。

6.根据权利要求1所述的晶体生长装置，

所述低辐射部的高度为容纳于所述坩埚的内部的原料的高度的40％以上。

7.一种坩埚，

具有主体部和辐射率比所述主体部低的低辐射部，

所述低辐射部设置于比容纳于所述坩埚的内部的原料的表面位置靠下方的外表面的一部分。