[发明专利]一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法有效
| 申请号： | 201911231999.X | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112903381B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李英涛;蒿鹏程;方峰;王永涛;崔彬;刘斌;张果虎 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N1/44;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 直拉重掺硅单晶 生长 纹理 方法 | ||
1.一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选择完整的直拉重掺硅单晶，截取单晶头部的圆锥和圆柱部分；纵向剖开取样片；
(2)在室温条件下对样片表面进行混酸腐蚀处理10～30min，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；
(3)对样片进行热氧化处理，热氧化处理条件为：650～800℃干氧氧化4h+1000～1100℃湿氧氧化16h；
(4)使用质量百分比浓度为40％的氢氟酸对样片进行去氧化膜处理1～5min；
(5)对样片进行二次混酸腐蚀处理10～30min，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；
(6)对样片进行择优腐蚀处理10～30min，然后纯水洗净、氩气或N2吹扫使其表面干燥；
(7)在暗室内强光下或使用扫描仪成像观察其表面呈现的生长纹理形貌。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中所截取的圆柱部分的长度为50mm～150mm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)和所述步骤(5)中所使用的混合酸中氢氟酸与硝酸的体积比为HF∶HNO3＝1∶5～1∶8。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(6)中使用Wright腐蚀剂对样片进行择优腐蚀。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述直拉重掺硅单晶利用直拉方法获得，且为100晶向的重掺杂硅单晶，硅单晶上部为圆锥形，其角度为45°＜α＜70.52°。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，按110方向剖开硅单晶取样片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体硅材料股份公司，未经有研半导体硅材料股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911231999.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件、封装结构及封装结构的制备方法
- 下一篇：活体小动物头部固定装置
