[发明专利]银离子改性氧化锆表面在制备氧化锆基台或种植体中的应用

权利要求书

1.银离子改性氧化锆表面作为抗菌涂层在制备氧化锆基台或氧化锆种植体中的应用。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，银离子改性氧化锆表面的制备包括以下步骤：

将氧化锆试件清洗后置于具有质量选择分离的高能离子束注入系统中，选用金属银作为离子源，设定注入能量为30-35keV，达到注入面密度为1x10¹⁵ion/cm²-1x10¹⁶ion/cm²时，完成银离子注入。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述具有质量选择分离的高能离子束注入系统的靶室动态真空度为(6-9)x10^-4Pa，注入能量为15KeV-550KeV，衬底温度为室温-400℃，质量数选择的范围为1-206的所有元素。

4.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述清洗的操作为：用蒸馏水冲洗后，置于无水乙醇中超声荡洗15min，然后用去离子水超声荡洗15min，清洗完成后将试件自然干燥。

5.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述氧化锆试件为直径为15mm、厚度1mm的圆形片状，所述氧化锆为3mol氧化钇稳定型四方相氧化锆。

6.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，银离子注入参数为：注入能量为30keV，注入面密度为1x10¹⁶ion/cm²。

7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述抗菌涂层所针对的菌种为变形链球菌和牙龈卟啉单胞菌。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，利用银离子改性氧化锆表面制备的抗菌涂层对变形链球菌和牙龈卟啉单胞菌的抑制浓度为10¹⁶。