[发明专利]化学机械研磨装置以及执行氧化铈基化学机械研磨的方法

权利要求书

1.一种执行氧化铈基化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)过程的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将包含氧化铈颗粒的浆料提供至研磨垫上；

通过所述浆料在所述研磨垫上研磨晶圆的氧化物层；

将温度在0℃至5℃范围内的冷却水提供至所述研磨垫上；以及

通过所述冷却水在所述研磨垫上研磨所述晶圆，以从所述晶圆的所述氧化物层上去除所述氧化铈颗粒。

2.如权利要求1所述的执行氧化铈基化学机械研磨过程的方法，其特征在于，

所述晶圆的所述氧化物层是氧化硅层。

3.如权利要求1所述的执行氧化铈基化学机械研磨过程的方法，其特征在于，

提供所述冷却水以将所述晶圆和所述研磨垫冷却至0℃至20℃。

4.如权利要求1所述的执行氧化铈基化学机械研磨过程的方法，其特征在于，

在室温下通过所述浆料在所述研磨垫上研磨所述晶圆的所述氧化物层。

5.一种化学机械研磨(CMP)装置，其特征在于，包括：

平台，具有研磨垫，所述研磨垫用于通过包含氧化铈颗粒的浆料研磨晶圆；

研磨头，配置成固定住所述晶圆；

浆料供应模块，配置成将所述浆料供应至所述平台的所述研磨垫上；以及

冷却水供应模块，配置成将温度在0℃至5℃范围内的冷却水供应至所述平台的所述研磨垫上。

6.如权利要求5所述的CMP装置，其特征在于，

所述晶圆包括氧化物层，所述浆料配置成研磨所述晶圆的所述氧化物层。

7.如权利要求6所述的CMP装置，其特征在于，

在室温下通过所述浆料研磨所述晶圆的所述氧化物层。

8.如权利要求6所述的CMP装置，其特征在于，

在完成研磨所述晶圆的所述氧化物层后，所述浆料供应模块停止将所述浆料供应至所述平台的所述研磨垫上，而所述冷却水供应模块将所述冷却水供应至所述平台的所述研磨垫上，以冷却所述晶圆和所述平台的所述研磨垫，并通过用所述冷却水在所述研磨垫上研磨所述晶圆来去除所述晶圆的所述氧化物层上的氧化铈颗粒。

9.如权利要求8所述的CMP装置，其特征在于，

将所述晶圆和所述平台的所述研磨垫冷却至0℃至20℃。

10.如权利要求5所述的CMP装置，其特征在于，

还包括驱动马达，所述驱动马达连接至所述研磨头并且配置成旋转所述研磨头；还包括过滤器组件，所述过滤器组件联接至所述浆料供应模块并且配置成过滤所述浆料。