[发明专利]一种基于4D打印的仿生可变形电容器有效
申请号: | 201911233575.7 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN110957133B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 文世峰;陈道兵;周燕;张俊秋;刘庆萍;韩志武;刘洋;陈柯宇;王冲;史玉升 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学;吉林大学 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/18;H01G4/30 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;孔娜 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 打印 仿生 变形 电容器 | ||
1.一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,包括多层间隔布置的不导电形状记忆聚合物(1)以及分别布置于相邻两层不导电形状记忆聚合物(1)之间的多层导电形状记忆聚合物(2),其中,
所述导电形状记忆聚合物(2)与其相邻的两层不导电形状记忆聚合物(1)固定连接,所述不导电形状记忆聚合物(1)与所述导电形状记忆聚合物(2)均采用4D打印的方式制备而成,各层所述不导电形状记忆聚合物(1)与各层所述导电形状记忆聚合物(2)均平行布置,各层所述导电形状记忆聚合物(2)的厚度相同,形成电容器的两极;
所述不导电形状记忆聚合物(1)采用不导电的形状记忆高分子材料制备而成,所述导电形状记忆聚合物(2)采用可导电的形状记忆高分子材料制备而成,构成仿生可变形电容器最上层和最下层的不导电形状记忆聚合物(1)上设有折叠线,该折叠线用于在所述导电形状记忆聚合物(2)通电或者断电时,仿生可变形电容器可沿该折叠线做弯曲运动或者展开运动,在仿生可变形电容器使用之前,先需要给所述导电形状记忆聚合物(2)进行多次通电和断电,在通电时,仿生可变形电容器按照既定的线路发生弯曲变形,以适应仿生可变形电容器工作需求,在断电时,仿生可变形电容器按照既定的线路恢复原来的形状,从而完成仿生可变形电容器的驱动训练,以此方式,以获取在工作时按指定路线弯曲变形的仿生可变形电容器。
2.根据权利要求1所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,所述不导电的形状记忆高分子材料为聚乳酸、聚氨酯、聚己内酯、尼龙中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,所述可导电的形状记忆高分子材料为碳纳米管聚乳酸复合材料、石墨烯聚乳酸复合材料、石墨烯尼龙材料、石墨烯聚氨酯材料、碳纳米管聚己内酯材料中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,
所述折叠线设置有多条,多条所述折叠线各不相交叉,且相邻两条折叠线的夹角不大于60°。
5.根据权利要求1所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,每层所述导电形状记忆聚合物(2)的厚度为20μm~50μm,最上层和最下层的所述不导电形状记忆聚合物(1)的厚度为0.3μm~0.8μm;中间层的各层所述不导电形状记忆聚合物(1)的厚度为0.1μm~0.3μm。
6.根据权利要求1所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,所述仿生可变形电容器的形状为波浪形、弓形、螺旋形、长方形、半圆形、手掌中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,在仿生可变形电容器的驱动训练中,通电时,仿生可变形电容器的升温速度为3℃/s,断电时,仿生可变形电容器的降温速度为2℃/s,以此方式,使得所述仿生可变形电容器缓慢变形。
8.根据权利要求4所述的一种基于4D打印的仿生可变形电容器,其特征在于,在仿生可变形电容器的驱动训练中,通电和断电的次数不少于5次,且,在前三次的通电和断电过程中,还需沿折叠线施加外力,使得仿生可变形电容器沿所述折叠线弯曲或者展开。
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