[发明专利]聚合物发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种聚合物发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

金属氧化物透明阳极，所述金属氧化物透明阳极形成在所述衬底的至少部分表面；

金属酞菁修饰层，所述金属酞菁修饰层形成在所述金属氧化物透明阳极远离所述衬底的至少部分表面，所述金属酞菁修饰层包含式(I)所示化合物的纳米晶；

聚合物发光层，所述聚合物发光层形成在所述金属酞菁修饰层远离所述金属氧化物透明阳极的至少部分表面；

阴极，所述阴极形成在所述聚合物发光层远离所述金属酞菁修饰层的至少部分表面；

式(I)中，各R分别独立地为H或甲基，且各R不均为H；M为Al、In或Ga。

2.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，式(I)中，R为甲基。

3.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物透明阳极包括氧化铟锡和/或氟掺杂氧化铟锡。

4.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，所述聚合物发光层包括PDY-132、MEH-PPV、Ir(ppy)₃中的至少之一。

5.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，所述阴极包括Au、Ag、Al、Cu、C中的至少之一。

6.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，所述金属酞菁修饰层的厚度为10～40nm。

7.一种制备权利要求1～6任一项所述的发光二极管的方法，其特征在于，包括：

(1)将式(I)所示化合物的纳米晶分散于醇溶剂，得到阳极修饰液；

(2)在衬底上形成金属氧化物透明阳极，并将所述阳极修饰液施加到所述金属氧化物透明阳极的至少部分表面，形成金属酞菁修饰层；

(3)在所述金属酞菁修饰层的至少部分表面形成聚合物发光层；

(4)在所述聚合物发光层的至少部分表面形成阴极，得到所述聚合物发光二极管。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述醇溶剂包括选自乙醇、丁醇、异丙醇中的至少之一。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述醇溶剂为乙醇和丁醇按照体积比为2:1混合而成的混合溶剂。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阳极修饰液通过旋涂、刮涂、喷涂中的至少之一方式施加到所述金属氧化物透明阳极的至少部分表面。