[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及数据储存的映射资讯管理，具体地说，涉及数据储存装置以及非挥发式存储器的控制方法。一控制器将一主机下达的写入数据快取于一暂存存储器，再自该暂存存储器程序化至该非挥发式存储器。该控制器以一映射资讯格式维护该主机辨识的逻辑地址的映射资讯。该映射资讯格式下，不高于一第一阈值而对应该非挥发式存储器的组态资讯储存空间的数值，至少局部用于指向该暂存存储器。指向该非挥发式存储器的数值则高于该第一阈值。

技术领域

本发明是有关于非挥发式存储器的控制。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

随着科技进步，数据储存装置的储存能力越发强大。本技术领域需要足以应付大尺寸储存的映射资讯管理技术。

发明内容

本发明揭露数据储存的映射资讯管理。

根据本发明一种实施方式实现的一种数据储存装置，包括：一非挥发式存储器；以及一控制器，控制该非挥发式存储器。该控制器将一主机下达的写入数据快取于一暂存存储器，再自该暂存存储器程序化至该非挥发式存储器。该控制器以一映射资讯格式维护该主机辨识的逻辑地址的映射资讯。该映射资讯格式下，不高于一第一阈值而对应该非挥发式存储器的组态资讯储存空间的数值，至少局部用于指向该暂存存储器。该映射资讯格式下，指向该非挥发式存储器的数值高于该第一阈值。

一种实施方式中，该映射资讯格式不具有映射资讯模式位元。

一种实施方式中，一第二阈值低于该第一阈值，且相依于该暂存存储器提供的数据快取空间的尺寸。该映射资讯格式下，低于该第二阈值的数值指向该暂存存储器的上述数据快取空间。

一种实施方式中，一预设数值不高于该第一阈值，且不低于该第二阈值。该映射资讯格式所呈现的该预设数值，示意虚置的映射资讯。

一种实施方式中，该映射资讯格式的一数值高于该第一阈值时，该控制器还以一数量对该数值进行除法运算以及余数运算，计算一商值以及一余数。该非挥发式存储器划分为多个大单元，各大单元包括该数量的小单元。该商值为大单元编号。该余数为小单元编号。

一种实施方式中，该控制器在该暂存存储器上维护一映射历程表，相应上述数据快取空间的多个快取栏位，以该映射资讯格式条列各快取数据前一版本的实体地址。

一种实施方式中，相应上述数据快取空间所快取的一逻辑地址的数据，该控制器在该暂存存储器上以该映射资讯格式维护一最新映射资讯。

一种实施方式中，该逻辑地址在上述数据快取空间的一第一栏位以及一第二栏位都有快取数据，且该最新映射资讯指向上述数据快取空间的该第二栏位。相应上述数据快取空间的该第一栏位，该映射历程表的一第一栏位指向该非挥发式存储器。相应上述数据快取空间的该第二栏位，该映射历程表的一第二栏位指向上述数据快取空间的该第一栏位。该控制器根据该最新映射资讯，查询该映射历程表的该第二栏位，据以回溯该映射历程表的该第一栏位。基于该映射历程表的该第一栏位指向该非挥发式存储器，该控制器视上述数据快取空间的该第一栏位为该逻辑地址的最旧版本快取数据。该控制器将该逻辑地址的最旧版本快取数据程序化至该非挥发式存储器，并更新该映射历程表的该第二栏位指向该非挥发式存储器。