[发明专利]具有反向电压跟随器的像素阵列

权利要求书

1.一种像素阵列，包括：

第一像素(PIX1)，包括第一晶体管(202、104)，所述第一晶体管具有：控制节点，被耦合到第一光电二极管(102)；第一主传导节点，被耦合到电压输出轨(VS)；以及第二主传导节点，被耦合到另一电压轨(VCS)；

可变阻抗(404、904)，将所述电压输出轨(VS)耦合到所述像素阵列的第一供电轨(VDD、GND)；和

电流源(402、902)，将所述另一电压轨(VCS)耦合到所述像素阵列的第二供电轨(GND、VDD)，其中基于所述另一电压轨(VCS)上的电压电平来控制所述可变阻抗(404、904)。

2.根据权利要求1所述的像素阵列，还包括差分放大器(406)，所述差分放大器具有被耦合到所述另一电压轨(VCS)的第一输入端、被耦合到参考电压电平(VREF)的第二输入端和被耦合到所述可变阻抗(404、904)的控制输入端的输出端。

3.根据权利要求2所述的像素阵列，其中所述参考电压电平(VREF)由校准电路(408)产生，所述参考电压电平(VREF)至少根据温度而变化。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的像素阵列，其中所述可变阻抗(404、904)包括另一晶体管，所述另一晶体管通过其主电流传导节点而被耦合在所述第一供电轨(VDD、GND)与所述电压输出轨(VS)之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的像素阵列，还包括：

第二像素(PIX2)，包括第二晶体管(202、104)，所述第二晶体管具有：控制节点，被耦合到第二光电二极管(102)；第一主传导节点，被耦合到所述电压输出轨(VS)；以及第二主传导节点，被耦合到所述另一电压轨(VCS)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的像素阵列，其中所述第一像素(PIX1)还包括第一另一晶体管(502、1002)，其将所述第一晶体管(204、104)的所述控制节点耦合至复位电压轨(VRST)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的像素阵列，其中所述第一像素(PIX1)还包括第二另一晶体管(504、1004)，所述第二另一晶体管将所述第一晶体管(204、104)的第一主电流传导节点耦合到所述电压输出轨(VS)，其中所述第二另一晶体管(504、1004)被配置为在所述第一像素的像素电压的读取操作期间被致使导通。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的像素阵列，其中所述第一像素(PIX1)还包括将所述第一晶体管(204、104)的控制节点耦合到所述第一光电二极管(102)的传输门(702)，所述传输门被配置为在所述第一像素的像素电压的读取操作期间被致使导通。

9.一种在第一像素(PIX1)的读取操作期间驱动像素阵列的第一像素的方法，所述方法包括：

将由第一光电二极管(102)产生的电压电平(VSENSE)施加到所述第一像素(PIX1)的第一晶体管(204、104)的控制节点，所述第一晶体管(204、104)的第一主传导节点被耦合到电压输出轨(VS)，并且所述第一晶体管(204、104)的第二主传导节点被耦合到另一电压轨(VCS)；和

调节将所述电压输出轨(VS)耦合到所述像素阵列的第一供电轨(VDD、GND)的可变阻抗(404、904)，基于所述另一电压轨(VCS)上的电压来调节所述可变阻抗(404、904)，所述另一电压轨(VCS)经由电流源(402、902)被耦合到第二供电轨(GND、VDD)。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在将所述电压电平(VSENSE)施加到所述第一晶体管(204、104)的控制节点之前，通过使所述第一像素(PIX1)的第一另一晶体管(502、1002)导通来复位所述第一晶体管(204、104)的控制节点处的电压电平。