[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及数据储存的映射资讯管理，具体地说涉及数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法。所采用的映射资讯格式不包括任何无法校正标示位元(UNC bit)。一控制器提供一循环冗余校验(CRC)引擎。根据一主机下达的一无法校正标示指令(如NVMe的WriteUNC指令)，该控制器操作该循环冗余校验引擎以一偏移编码种子对一数据样板编码，产生一偏移循环冗余校验码。该控制器将该偏移循环冗余校验码随该数据样板程式化至该非挥发式存储器。该数据样板必然无法通过循环冗余校验。该无法校正标示指令成功运作。

技术领域

本发明有关于非挥发式存储器的控制。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

随着科技进步，数据储存装置的储存能力越发强大。本技术领域需要足以应付大尺寸储存的映射资讯管理技术。

发明内容

本发明所采用的映射资讯格式不须特意规划无法校正标示位元(UNC bit)。映射资讯格式因而有充裕位元数用于物理地址标示。

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器控制该非挥发式存储器，且包括一循环冗余校验(CRC)引擎。根据一主机下达的一无法校正标示指令(如NVMe的WriteUNC指令)，该控制器操作该循环冗余校验引擎以一偏移编码种子对一数据样板编码，产生一偏移循环冗余校验码。该控制器将该偏移循环冗余校验码随该数据样板程式化至该非挥发式存储器。该数据样板必然无法通过循环冗余校验。该无法校正标示指令成功运作。

一种实施方式中，该无法校正标示指令指示一逻辑地址。该控制器偏移该逻辑地址，产生一偏移逻辑地址。该控制器操作该循环冗余校验引擎以该偏移逻辑地址作为该偏移编码种子。该数据样板可为零。

一种实施方式中，根据该主机对该逻辑地址所发出的一读取指令，该控制器自该非挥发式存储器取得该数据样板以及该偏移循环冗余校验码。该控制器操作该循环冗余校验引擎以该逻辑地址作为一编码种子。该控制器操作该循环冗余校验引擎以该编码种子对该数据样板产生一循环冗余校验码。该控制器操作该循环冗余校验引擎比对得该循环冗余校验码不同于该偏移循环冗余校验码，并不以该数据样板回应该主机。

一种实施方式中，该控制器是根据该逻辑地址的一映射资讯自该非挥发式存储器取得该数据样板以及该偏移循环冗余校验码。该映射资讯采用的一映射资讯格式不包括任何无法校正标示位元。一种实施方式中，该无法校正标示指令的标示单元小于该映射资讯格式管理的数据单元。

一种实施方式中，关于根据一逻辑地址取自该非挥发式存储器的一第一区域、且错误检查与纠正失败的一错误数据，该控制器将该错误数据以及一循环冗余校验码程式化至该非挥发式存储器的一第二区域。该循环冗余校验码是随该错误数据由该控制器自该非挥发式存储器的该第一区域读出。一种实施方式中，根据该主机对该逻辑地址要求的一读取指令，该控制器自该非挥发式存储器的该第二区域取得该错误数据以及该循环冗余校验码。该控制器操作该循环冗余校验引擎以该逻辑地址作为一编码种子。该控制器操作该循环冗余校验引擎以该编码种子对该错误数据产生一错误循环冗余校验码。该控制器操作该循环冗余校验引擎比对得该错误循环冗余校验码不同于该循环冗余校验码，并不以该错误数据回应该主机。

一种实施方式中，上述错误检查与纠正源于该主机对该非挥发式存储器的一读取指令。

一种实施方式中，上述错误检查与纠正源于该控制器对该非挥发式存储器进行的一垃圾回收。