[发明专利]连接结构和等离子体处理装置

说明书

本发明涉及一种连接结构和等离子体处理装置。所述连接结构包含第一部件、和具有安装孔的第二部件；第一连接件位于安装孔内，与第二部件可拆卸连接；抗腐蚀粘结层位于第一连接件与第一部件之间，实现第一部件与第二部件的可靠连接。本发明使用上述连接结构，连接气体喷淋头、安装基板，使气体喷淋头和安装基板的界面紧密贴合，增加气体喷淋头可被消耗的厚度，延长其使用寿命。本发明的等离子体处理装置，使用上述的气体喷淋头，和/或使用上述连接结构来连接该等离子体处理装置中的各种相邻部件。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种连接结构和等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置用于对基片进行蚀刻、沉积等工艺处理。例如在一种电容耦合式的等离子体处理装置中，包含一反应腔，该反应腔内设置有用于承载基片的基座(对应下电极)、用于引入反应气体、辅助气体等至反应腔内的气体喷淋头(对应上电极)，上下电极之间作为制程区，且上下电极中的任意一个施加有高频射频功率，将制程区内的反应气体解离为等离子体，到达基片上表面的等离子体对基片实施相应的工艺处理；等离子体处理装置在反应腔下部的合适位置设有排气区域，排气区域与外部的排气泵相连接，将处理过程中用过的反应气体及副产品气体等抽出反应腔。气体喷淋头周围还设置有一上部接地环，可以对气体喷淋头进行支撑，或用于加大气体喷淋头横向面积以改善等离子体处理的均匀性。

如图1所示，气体喷淋头11’是具有一定厚度的圆盘形组件，其与圆盘型的安装基板12’层叠布置，气体经过两板上开设的相连通的通气孔13’输送到反应腔内。其中，安装基板12’典型地由铝合金制成，能够对其下方的气体喷淋头11’进行支撑；气体喷淋头11’典型地是由单晶硅制成，作为上电极。

目前，气体喷淋头11’、安装基板12’的连接方式，是在气体喷淋头11’的顶面分布地形成多个凹孔14’，在其中固定设置有第一连接件15’(如螺母)；安装基板12’的对应位置，开设有台阶孔16’，对设置在其中的第二连接件17’进行限位；第二连接件17’下端通过台阶孔16’后穿入到凹孔14’内与相适配的第一连接件15’进行连接，使安装基板12’得以与气体喷淋头11’固定连接，并使安装基板12’的底面与气体喷淋头11’的顶面紧密接触。

此外，气体喷淋头11’的厚度(或气体喷淋头11’与安装基板12’组合后的厚度)，需处在指定范围内，以配合诸如气体输送的速率、温控的效果等技术要求，从而保证处理效率及成品质量。然而，气体喷淋头11’底面暴露于制程区，容易受到用于蚀刻工艺的气体及等离子体的影响，而使该气体喷淋头11’产生材料损耗。凹孔14’的开设使得气体喷淋头11’可以消耗的厚度d很少，消耗稍多就可能导致气体喷淋头11’整体厚度不足以处在指定范围，或者导致凹孔14’底部穿透而使第一连接件15’被蚀刻进而影响到连接的可靠性，从而减少了气体喷淋头11’的使用寿命；更换新的气体喷淋头11’，将极大地浪费成本、人力，影响生产效率。

发明内容

本发明提供一种连接结构和等离子体处理装置，该连接结构可以实现相邻部件的紧固连接，不必为设置连接件而减少部件本身的厚度，有效延长了部件的使用寿命。

本发明的一个技术方案是提供一种连接结构，其包括：

第一部件；

第二部件，其具有安装孔；

第一连接件，位于所述安装孔内，与所述第二部件之间可拆卸连接；

抗腐蚀粘结层，用于使所述第一连接件与第一部件结合在一起。

可选地，所述第二部件包括相对的第一表面和第二表面，且所述第一表面朝向第一部件，所述第一连接件从第二部件的第一表面进入安装孔，在第二部件的第二表面穿出或不穿出。

可选地，所述安装孔贯穿第二部件的第一表面和第二表面。