[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上定义有记忆体区和位于所述记忆体区外周围的周边区；

位线组，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以及所述位线组包括多条位线，所述位线沿着第一方向延伸，多条所述位线沿着第二方向依次间隔排布；

隔离线组，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以及所述隔离线组包括多条隔离线，所述隔离线沿着第二方向延伸，多条所述隔离线沿着第一方向依次间隔排布，并使所述隔离线与所述位线相交，以界定出节点接触窗阵列在所述记忆体区中；

多条辅助线，形成在所述衬底的所述周边区中，用于界定出多个辅助接触窗在所述周边区中，多个所述辅助接触窗位于所述节点接触窗阵列的外周围。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述节点接触窗中填充有导电材料，以构成节点接触部；所述辅助接触窗中填充有绝缘材料，以构成辅助填充柱。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述位线还在其延伸方向上从所述记忆体区延伸至所述周边区；

以及，所述多条辅助线包括若干第一辅助线，所述若干第一辅助线沿着第一方向排布在所述隔离线组的外侧，以及所述第一辅助线沿着第二方向延伸，并使所述位线中延伸至所述周边区的部分和所述第一辅助线相交，以界定出所述辅助接触窗在所述周边区中。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述若干第一辅助线中排布在最远离所述记忆体区的第一辅助线为第一辅助边界线，所述位线中延伸至所述周边区的端部到达所述第一辅助边界线，并且不超出所述第一辅助边界线的外边界。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离线还在其延伸方向上从所述记忆体区延伸至所述周边区；

以及，所述多条辅助线包括若干第二辅助线，所述若干第二辅助线沿着第二方向排布在所述位线组的外侧，以及所述第二辅助线沿着第一方向延伸，并使所述隔离线中延伸至所述周边区的部分和所述第二辅助线相交，以界定出所述辅助接触窗在所述周边区中。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述若干第二辅助线中排布在最远离所述记忆体区的第二辅助线为第二辅助边界线，所述隔离线中延伸至所述周边区的端部到达所述第二辅助边界线，并且不超出所述第二辅助边界线的外边界。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述位线和所述隔离线均从所述记忆体区延伸至所述周边区，以及所述多条辅助线包括若干第一辅助线和若干第二辅助线；

其中，所述若干第一辅助线沿着第一方向排布在所述隔离线组的外侧，以及所述第一辅助线沿着第二方向延伸，并使所述位线中延伸至所述周边区的部分和所述第一辅助线相交，以界定出辅助接触窗在所述隔离线组的外侧；以及，所述若干第二辅助线沿着第二方向排布在所述位线组的外侧，以及所述第二辅助线沿着第一方向延伸，并使所述隔离线中延伸至所述周边区的部分和所述第二辅助线相交，以界定出辅助接触窗在所述位线组的外侧；

并且，所述若干第一辅助线的数量不同于所述若干第二辅助线的数量，以使位于隔离线组外侧的辅助接触窗的排数不同于位于位线组外侧的辅助接触窗的排数。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述周边区的衬底中形成有沟槽隔离结构，并且至少部分沟槽隔离结构位于所述记忆体区的外周围，以及至少部分所述辅助线形成在所述沟槽隔离结构上，以界定出所述辅助接触窗在所述沟槽隔离结构的上方。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿着第一方向排布在所述记忆体区外侧的辅助接触窗的数量，与沿着第二方向排布在所述记忆体区外侧的辅助接触窗的数量互不相同。