[发明专利]钙钛矿发光层及其制备方法、发光器件、显示装置在审
申请号: | 201911236184.0 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN111048676A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 张爱迪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;G09F9/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 发光 及其 制备 方法 器件 显示装置 | ||
1.一种钙钛矿发光层,其特征在于,包括钙钛矿发光膜层以及将所述钙钛矿发光膜层包裹的封装膜层,所述封装膜层包括化合物A,所述化合物A的通式为X2+SO32-R,其中,X2+为二价金属离子,R为含有羟基官能团的苯环结构。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿发光层,其特征在于,所述钙钛矿发光膜层中含有二价金属离子,所述化合物A中的二价金属离子与所述钙钛矿发光膜层中的二价金属离子为相同的二价金属离子。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿发光层,其特征在于,所述钙钛矿发光膜层为锡基钙钛矿材料。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿发光层,其特征在于,所述二价金属离子包括锡离子、铁离子、铅离子、鉻离子、锰离子、钴离子、镍离子和钒离子中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿发光层,其特征在于,所述含有羟基官能团的苯环结构包括含有至少一个羟基官能团的苯结构、含有至少一个羟基官能团的萘结构和含有至少一个羟基官能团的蒽结构中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿发光层,其特征在于,所述钙钛矿发光层的顶部呈平面状。
7.一种发光器件,其特征在于,包括权利要求1-6任一所述的钙钛矿发光层。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7所述的发光器件。
9.一种钙钛矿发光层的制备方法,其特征在于,包括:
将路易斯碱化合物与含有二价金属离子的卤化化合物混合,形成封装溶液;
将能够形成钙钛矿发光膜层的前驱溶液形成在基底上;
在预设的时间条件下,对形成在所述基底上的前驱溶液中滴加一定量的所述封装溶液,形成钙钛矿发光层。
10.根据权利要求9所述的钙钛矿发光层的制备方法,其特征在于,所述路易斯碱化合物包括羟基苯磺酸、羟基苯磺酸钠、2-氨基苯酚-4-磺酸、2-氨基苯酚-4-磺酸钠和2-氨基苯酚-4-磺酸钾中的一种或几种。
11.根据权利要求9所述的钙钛矿发光层的制备方法,其特征在于,所述将能够形成钙钛矿发光膜层的前驱溶液形成在基底上,包括:
通过旋涂法将所述前驱溶液形成在基底上。
12.根据权利要求9所述的钙钛矿发光层的制备方法,其特征在于,所述将能够形成钙钛矿发光膜层的前驱溶液形成在基底上之前,还包括:
对所述基底进行超声波清洗以及对所述基底进行一定时间的紫外线照射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择