[发明专利]一种新型高功率分配比三端口功分器

权利要求书

1.一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，包括PCB基板(1)、Rat-Race耦合器(2)、Wilkinson功分器(3)、微带线和测试端口；

所述测试端口包括第一射频输入信号端口、第二射频输出信号端口和第三射频输出信号端口，所述测试端口作为连接SMA接插件使用；

所述Rat-Race耦合器包括第一端口(201)、第二端口(202)、第三端口(203)和隔离端口(204)，第一端口(201)与第一射频输入信号端口通过微带线相连，第二端口(202)与第二射频输出信号端口通过微带线相连，所述第一端口(201)与隔离端口(204)相互隔离；

所述Wilkinson功分器包括输入端口(301)、隔离电阻(304)、第一路输出端口(303)和第二路输出端口(302)，所述输入端口(301)通过微带线与Rat-Race耦合器的第三端口(203)相连，所述第一路输出端口(303)通过微带线与第三射频输出信号端口相连，所述第二路输出端口(302)通过微带线与Rat-Race耦合器的隔离端口(204)相连。

2.根据权利要求1所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述微带线包括第一微带线(9)、第二微带线(10)、第三微带线(4)、第四微带线和第五微带线，所述Rat-Race耦合器的第一端口(201)与第一射频输入信号端口通过第一微带线(9)相连，所述Rat-Race耦合器的第二端口(202)与第二射频输出信号端口通过第二微带线(10)相连，所述Wilkinson功分器输入端口(301)与Rat-Race耦合器的第三端口(203)通过第三微带线相连，所述第一路输出端口(303)与第三射频输出信号端口通过第四微带线相连，所述第二路输出端口(302)与Rat-Race耦合器的隔离端口(204)通过第五微带线相连。

3.根据权利要求2所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述第四微带线包括特性阻抗为50×K^1/4欧姆的第六微带线(7)和特性阻抗为50欧姆的第七微带线(8)，所述第六微带线(7)与第一路输出端口(303)相连，所述第七微带线(8)与第三射频输出信号端口相连，其中，所述K为Wilkinson功分器的功率分配比。

4.根据权利要求3所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述第五微带线包括特性阻抗为50/K^1/4欧姆的第八微带线(6)和特性阻抗为50欧姆的第九微带线(5)，所述第八微带线(6)与第二路输出端口(302)相连，所述第九微带线(5)与Rat-Race耦合器的隔离端口(204)相连，其中，所述K为Wilkinson功分器的功率分配比。

5.根据权利要求4所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述Wilkinson功分器的功率分配比为2：1。

6.根据权利要求5所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述Rat-Race耦合器的第一端口(201)、第二端口(202)、第三端口(203)和隔离端口(204)的特性阻抗均为50欧姆。

7.根据权利要求6所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述Rat-Race耦合器的第二端口(202)和第三端口(203)的功率分配比为1：1。

8.根据权利要求7所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述Wilkinson功分器的输入端口(301)的特性阻抗为50欧姆，第一路输出端口(303)的特性阻抗为50×K^1/4欧姆，第二路输出端口(302)的特性阻抗为50/K^1/4欧姆。

9.根据权利要求8所述的一种新型高功率分配比三端口功分器，其特征在于，所述隔离电阻(304)为0603贴片电阻、阻值为50×(K^1/2+1/K^1/2)欧姆。