[发明专利]一种适用于LDSE技术的扩散方法有效
| 申请号： | 201911236922.1 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928180B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张美荣;陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 ldse 技术 扩散 方法 | ||
1.一种适用于激光掺杂技术的扩散方法，其特征在于，在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛，使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40~50nm厚的磷硅玻璃，所述降温氧化之后还进行后氧化步骤，且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。
2.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述扩散方法包括：
（1）升温：升温至T1=750~810℃，并抽真空；
（2）通源：在T1’ = 750~810℃下，使用载气载入磷源；
（3）控制温度在T2=810~860℃并推进，气氛为纯氮气；
（4）降温氧化：在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛，流量在300~400sccm，使扩散层表面生长的五氯化磷与硅反应生成40~50nm厚的磷硅玻璃；
（5）后氧化：在纯O2气氛下T3=700~760℃范围内进行氧化，完成扩散。
3.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（1）抽真空至50-300mbar。
4.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述方法还包括在步骤（1）之后步骤（2）之前进行预氧化步骤，气氛为纯O2。
5.根据权利要求4所述的扩散方法，其特征在于，所述纯O2流量为500~1000sccm。
6.根据权利要求4所述的扩散方法，其特征在于，所述预氧化步骤的温度为750~810℃，时间为250~300s。
7.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（2）所述载气为N2，所述N2的流量为500~1000sccm，其中，N2: O2流量比为1:2~2:1。
8.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（2）通源的温度为750~810℃，时间为600~700s。
9.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（2）所述磷源包括POCl3。
10.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（3）所述T2与步骤（1）所述T1之间满足：T2-T1=30~60℃。
11.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（3）所述T2=830~860℃。
12.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（3）所述推进的时间为250-450s。
13.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（4）所述纯O2的流量为300~400sccm。
14.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，步骤（4）降温氧化为：从T2降温至T3=800~840℃。
15.根据权利要求14所述的扩散方法，其特征在于，T3=825~840℃。
16.根据权利要求14所述的扩散方法，其特征在于，降温速率为1~3℃/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
