[发明专利]一种驱动芯片封装结构在审
| 申请号： | 201911237338.8 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928091A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈韦缙 | 申请（专利权）人： | 深圳晶鼎科实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 芯片 封装 结构 | ||
1.一种驱动芯片封装结构，其特征在于，包括：
第一晶粒乘载部；
第二晶粒乘载部，所述第一晶粒乘载部与所述第二晶粒乘载部相邻配置，其中所述第一晶粒乘载部与所述第二晶粒乘载部之间具备间隙；
第一功率开关组件，配置于所述第一晶粒乘载部上；
第二功率开关组件，配置于所述第二晶粒乘载部上；
控制模块，至少部分配置于所述第一晶粒乘载部与所述第二晶粒乘载部上；以及
封装体，用以封装所述第一晶粒乘载部、所述第二晶粒乘载部、所述第一功率开关组件、所述第二功率开关组件以及所述控制模块。
2.如权利要求1所述的驱动芯片封装结构，其特征在于，所述第一功率开关组件还包括P型金属氧化物半导体场效晶体管与N型金属氧化物半导体场效晶体管。
3.如权利要求1所述的驱动芯片封装结构，其特征在于，所述第二功率开关组件还包括P型金属氧化物半导体场效晶体管与N型金属氧化物半导体场效晶体管。
4.一种驱动芯片封装结构，其特征在于，包括：
第一晶粒乘载部；
第二晶粒乘载部，所述第一晶粒乘载部与所述第二晶粒乘载部相邻配置，其中所述第一晶粒乘载部与所述第二晶粒乘载部之间具备间隙；
电源金属线，配置于所述第一晶粒乘载部与所述第二晶粒乘载部之间，其中所述电源金属线与所述第一晶粒乘载部之间具备间隙，以及所述电源金属线与所述第二晶粒乘载部之间具备间隙；
第一功率开关组件，配置于第一晶粒乘载部上；
第二功率开关组件，配置于第二晶粒乘载部上；
控制模块，至少部分配置于所述第一晶粒乘载部、所述电源金属线与所述第二晶粒乘载部上；以及
封装体，用以封装所述第一晶粒乘载部、所述第二晶粒乘载部、所述电源金属线、所述第一功率开关组件、所述第二功率开关组件以及所述控制模块。
5.如权利要求4所述的驱动芯片封装结构，其特征在于，所述第一功率开关组件还包括P型金属氧化物半导体场效晶体管与N型金属氧化物半导体场效晶体管。
6.如权利要求4所述的驱动芯片封装结构，其特征在于，所述第二功率开关组件还包括P型金属氧化物半导体场效晶体管与N型金属氧化物半导体场效晶体管。
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