[发明专利]一种基于低场磁共振T2

权利要求书

1.一种基于低场磁共振T₂弛豫的磁纳米粒子温度计算方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1.选择不同测试温度点，选择粒径、饱和磁化强度、温度敏感性不同的备选氧化铁磁纳米粒子试剂，测量各测试温度点下各备选氧化铁磁纳米粒子试剂的M-H磁化曲线；

S2.对各离散激励磁场的磁感应强度μ₀H下各备选氧化铁磁纳米粒子在不同温度T下测量到的感应磁化强度M和温度T进行拟合，得到各备选氧化铁磁纳米粒子的|dM/dT|-μ₀H曲线，μ₀表示真空磁导率；

S3.根据所用低场磁共振仪的主磁场的磁感应强度，选择在该主磁场下|dM/dT|取值最大的备选氧化铁磁纳米粒子，制备该氧化铁磁纳米粒子水溶液；

S4.在不同测试温度点利用该低场磁共振仪测量该氧化铁磁纳米粒子水溶液的T₂弛豫时间；

S5.基于测量到的各温度下的T₂弛豫时间，拟合该氧化铁磁纳米粒子水溶液的T₂弛豫时间和温度的关系T₂＝f(T)；

S6.将测量到的磁纳米粒子水溶液的T₂弛豫时间，代入反函数T＝f^-1(T₂)，得到温度估计值T_est。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低场磁共振仪的主磁场的磁感应强度≤0.5特斯拉。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，测试温度点的取值范围为37℃～40.4℃。

4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，使用带有温度控制模块的MPMS磁学测量系统测量备选氧化铁磁纳米粒子试剂的M-H磁化曲线。

5.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，测量得到的M-H磁化曲线如下：

V＝πd³/6

其中，M表示备选氧化铁磁纳米粒子试剂的感应磁化强度，N表示单位体积的磁纳米粒子个数，M_s表示单个磁纳米粒子的饱和磁化强度，V表示磁纳米粒子的体积，d表示磁纳米粒子的核心粒径，H表示激励磁场的磁场强度，表示k表示玻尔兹曼常数，T表示绝对温度。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述|dM/dT|-μ₀H曲线表达式如下：

7.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，采用CPMG脉冲序列进行T₂弛豫时间的测量。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的基于低场磁共振T₂弛豫的磁纳米粒子温度计算方法。