[发明专利]发光模块在审
| 申请号： | 201911238325.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048493A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李锺旼;金枋显;李在浩 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/36;H01L33/58;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 全振永;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 模块 | ||
1.一种发光模块，包括：
基础基板；
壳体，位于所述基础基板上，并包括腔室；
第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及
第二发光二极管，位于所述基础基板上，并与所述第一发光二极管相隔，
其中，所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管位于所述壳体的腔室内，
所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域以及从所述第一发光区域隔开而围绕所述第一发光区域的第二发光区域，
从所述第一发光二极管射出的光的指向角和从所述第二发光二极管射出的光的指向角彼此不同。
2.如权利要求1所述的发光模块，其中，
从所述第一发光二极管射出的光的指向角比从所述第二发光二极管射出的光的指向角窄。
3.如权利要求2所述的发光模块，其中，
所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管分别通过控制施加于所述第一发光区域以及所述第二发光区域的电源的比率而控制射出的光的指向角。
4.如权利要求3所述的发光模块，其中，
施加于所述第一发光区域的电源的比率越大，从所述第一发光二极管射出的光的指向角越窄。
5.如权利要求3所述的发光模块，其中，
施加于所述第一发光区域的电源的比率越大，从所述第一发光二极管射出的光的指向角越宽。
6.如权利要求2所述的发光模块，其中，
通过控制施加于所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管的电源的比率而控制光的指向角。
7.如权利要求6所述的发光模块，其中，
施加于所述第二发光二极管的电源的比率比施加于所述第二发光二极管的电源的比率大。
8.如权利要求1所述的发光模块，其中，
所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管分别还包括覆盖所述第一发光区域以及所述第二发光区域的波长转换层。
9.如权利要求1所述的发光模块，其中，
所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管还包括覆盖所述第二发光区域的侧面的侧面反射层。
10.如权利要求1所述的发光模块，还包括：
透镜，位于所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管上。
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