[发明专利]饼式双绕组高阻抗变压器制造方法在审
申请号: | 201911238374.6 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN110911146A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 葛为民 | 申请(专利权)人: | 常州工学院 |
主分类号: | H01F41/00 | 分类号: | H01F41/00 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 肖玲珊 |
地址: | 213032 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 饼式双 绕组 阻抗 变压器 制造 方法 | ||
1.一种饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,包括阻抗分析,负载损耗分析,根据所述阻抗分析和所述负载损耗分析推导出所述饼式双绕组高阻抗变压器的阻抗计算公式。
2.根据权利要求1所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述阻抗分析包括:
根据所述阻抗概念,分析阻抗工程表达形式;
推导线圈高度相等、磁势均布的同心式双绕组变压器的纵向电抗公式;
推导横向漏磁场时的电抗公式;
所述高阻抗变压器电抗与标准变压器电抗的比较;
阻抗偏差剖析;
实例验证所述饼式双绕组高阻抗变压器的阻抗计算公式。
3.根据权利要求2所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述负载损耗分析包括:
电阻损耗的分析、引线损耗的分析、纵向涡流损耗的分析、环流损耗的分析、杂散损耗的分析。
4.根据权利要求3所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述电阻损耗的分析包括:
根据标准型变压器电阻损耗公式计算,误差为零。
5.根据权利要求3所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述引线损耗的分析包括:
根据标准型变压器引线损耗公式计算,误差≤2%。
6.根据权利要求3所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述纵向涡流损耗的分析包括:
根据标准型变压器纵向涡流损耗公式计算。
7.根据权利要求6所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述变压器为中小容量,根据标准型变压器纵向涡流损耗公式计算,误差≤1.5%。
8.根据权利要求6所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,所述变压器为大容量变压器,根据所述饼式双绕组高阻抗变压器的阻抗计算公式计算。
9.根据权利要求3所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,根据漏磁场分布计算线圈的环流损耗。
10.根据权利要求3所述的饼式双绕组高阻抗变压器制造方法,其特征在于,计算所述高阻抗变压器漏磁链校正系数。
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