[发明专利]一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头在审
| 申请号： | 201911238915.5 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111001917A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 邱雅祉;刘金波;付玉磊;李向前;付廷喜 | 申请（专利权）人： | 天津伍嘉联创科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K11/36 | 分类号： | B23K11/36;B23K11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300451 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 晶体 压痕 预装 点焊 吸头 | ||
1.一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座(101)、晶体上盖(106)和晶体基座(107)，其特征在于：所述弹性缓冲座(101)上安装有安装座(102)，所述安装座(102)远离弹性缓冲座(101)的一侧通过安装螺钉(104)安装有预装点焊吸头(103)，所述预装点焊吸头(103)的两侧均安装有预装点焊焊轮(105)，所述预装点焊吸头(103)上吸附设置有晶体上盖(106)。
2.权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述晶体基座(107)包括焊接环(1071)和基座基体(1072)，且焊接环(1071)焊接于基座基体(1072)的内侧。
3.权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述预装点焊吸头(103)的吸附平面在宽度方向的宽度大于所吸附的晶体上盖(106)的宽度。
4.权利要求2所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述预装点焊吸头(103)在吸附晶体上盖(106)，并将晶体上盖(106)摆放在晶体基座(107)的焊接环(1071)上时，所述预装点焊吸头(103)的吸附平面会在下压过程中搭在晶体基座(107)的焊接环(1071)上。
5.权利要求2所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述预装点焊吸头(103)的吸附平面会将压痕留在晶体上盖(106)与焊接环(1071)的交互区域，且压痕会在后续滚动焊接过程中被滚动焊接的焊痕所覆盖。
6.权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述预装点焊吸头(103)不会因为吸附平面过压使晶体上盖(106)向晶体基座(107)内腔发生下凹变形。
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