[发明专利]RAMO4

权利要求书

1.一种RAMO₄基板，其包含通式RAMO₄所示的单晶体，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素，

在通过所述RAMO₄基板中心的直线上的多个位置Xi处测定X射线摇摆曲线，确定各位置Xi处的X射线摇摆曲线的衍射光谱的X射线峰位置ωi，其中，i＝1，2，3，…，n，

基于由X射线峰位置ωi与位置Xi的关系得到的回归直线，算出结晶面的曲率半径r的绝对值，进而，基于X射线峰位置ωi与位置Xi，算出通过下述式算出的相关系数ρ的平方时，

表示ωi的平均值，表示Xi的平均值，

所述曲率半径r为52m以上，且所述相关系数ρ的平方为0.81以上。

2.根据权利要求1所述的RAMO₄基板，其中，所述通式RAMO₄中的所述R为Sc、所述A为Al、所述M为Mg。

3.根据权利要求1或2所述的RAMO₄基板，其厚度为100μm以上且1000μm以下的范围。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的RAMO₄基板，其直径为25mm以上且200mm以下的范围。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的RAMO₄基板，其中，用ω＝aX+b表示所述回归直线时，a和b用下述式表示，

表示ωi的平均值，表示Xi的平均值；

所述曲率半径r用下述式表示，

6.一种III族氮化物半导体，其具有：

权利要求1～5中任一项所述的RAMO₄基板；

在所述RAMO₄基板的一个面形成的外延生长面上配置的缓冲层；以及

在所述缓冲层上配置的III族氮化物结晶。

7.根据权利要求6所述的III族氮化物半导体，其中，所述缓冲层为包含InAlGaN所示化合物的非晶、单晶或多晶的层。

8.根据权利要求6或7所述的III族氮化物半导体，其中，所述III族氮化物结晶为GaN或AlN。

9.一种RAMO₄基板的制造方法，其中，所述RAMO₄基板包含通式RAMO₄所示的单晶体，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素，

所述制造方法具有结晶培育工序：通过使晶种接触所述RAMO₄所示的单晶体的原料的熔液而使结晶生成，并提拉所述结晶，由此来培育单晶体，

所述结晶培育工序中，所述结晶的提拉速度为0.3mm/h以上且0.7mm/h以下，

所述结晶提拉时的熔液表面与加热所述熔液的加热器的上端之间的距离为19mm以上且29mm以下。

10.根据权利要求9所述的RAMO₄基板的制造方法，其在所述结晶培育工序之后还具备判定工序：

在通过所得单晶体中心的直线上的多个位置Xi处测定X射线摇摆曲线，确定各位置Xi处的X射线摇摆曲线的衍射光谱的X射线峰位置ωi，其中，i＝1，2，3，…，n，

基于由X射线峰位置ωi与位置Xi的关系得到的回归直线，算出结晶面的曲率半径r的绝对值，进而，基于X射线峰位置ωi与位置Xi，算出通过下述式算出的相关系数ρ的平方时，

表示ωi的平均值，表示Xi的平均值，

判定所述曲率半径r是否为52m以上且所述相关系数ρ的平方是否为0.81以上。