[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

本申请要求于2018年12月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0164029号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，例如，一种扇出型半导体封装件。

背景技术

近年来，与半导体芯片相关的技术发展的主要趋势之一是减小组件的尺寸。因此，在封装领域中，根据对小型半导体芯片等的需求的激增，有必要在具有小尺寸的同时实现大量引脚。为了满足这种需求而提出的一种半导体封装技术为扇出型半导体封装。扇出型半导体封装可将电连接结构重新分布到设置有半导体芯片的区域之外，从而在能够实现大量引脚的同时保持小尺寸。

另外，在用在印刷电路板制造工艺中的真空层压方法中，由于绝缘层可通过真空层压方法转印到基板以形成绝缘层，因此可有效地应对厚度随位置的偏差。然而，由于膜切割工艺期间产生的异物而可能存在缺陷，并且由于绝缘层的不充分填充导致而可能存在出现空隙的高的可能性。具体地，由于这种膜型绝缘层通常可以是非感光绝缘层，因此对重新分布层和连接过孔的精细节距可能存在限制。在需要精细设计的半导体封装技术的领域中，在基板上涂覆液态绝缘材料的方法可通常用作形成用于形成重新分布层的绝缘层的工艺。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种半导体封装件，所述半导体封装件即使在重新分布层中形成开口时也能够充分控制起伏。

通过本公开提出的各种解决方案之一是：在形成与重新分布区域相对应的连接结构时，在满足重新分布层的厚度与绝缘层的厚度之间的特定关系的条件的情况下，在重新分布层中形成具有多个突起的开口。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

根据本公开的另一方面，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有多个开口，每个所述开口具有十字形形状，并且所述第一重新分布层的厚度为10μm或更小。

根据本公开的另一方面，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层；以及第二重新分布层，设置在所述第二绝缘层上。所述第一重新分布层具有多个第一开口，每个所述第一开口具有十字形形状，所述第二重新分布层具有多个第二开口，每个所述第二开口具有十字形形状，并且在平面图中，所述多个第一开口和所述多个第二开口彼此间隔开。

附图说明