[发明专利]一种基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列有效

专利信息
申请号: 201911240587.2 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111029740B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 陈建新;杨玲玲;柯彦慧;钱中宇 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q9/28
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 朱小兵
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 介质 谐振器 高次模 增益 双向 天线 阵列
【权利要求书】:

1.一种基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,包括基板(4),所述基板(4)包括微波介质基片构成的上层和下层;其特征在于,还包括两个介质谐振器(1)、金属片(2)、微带双巴伦馈电网络(3)、金属地(5)、接地过孔(6)、两个共面带线(7);所述两个介质谐振器(1)均粘贴在基板(4)的上层表面;所述微带双巴伦馈电网络(3)印制在基板(4)的上层;所述两个介质谐振器(1)关于微带双巴伦馈电网络(3)为中心相对称设置;所述两个共面带线(7)均印制在基板(4)的上层;所述两个共面带线(7)关于微带双巴伦馈电网络(3)为中心相对称设置;所述两个共面带线(7)分别与微带双巴伦馈电网络(3)的两输出端连接;所述共面带线(7)与介质谐振器(1)的下表面连接;所述微带双巴伦馈电网络(3)通过共面带线(7)激励介质谐振器(1)的高次模;所述两个介质谐振器(1)远离微带双巴伦馈电网络(3)的一侧面均粘贴金属片(2);所述金属地(5)印制在基板(4)的下层;所述接地过孔(6)贯通基板(4)的上层与下层;所述微带双巴伦馈电网络(3)通过接地过孔(6)与金属地(5)连接;所述微带双巴伦馈电网络(3)包含一个位于中间的1/2λ微带线与四根L型1/4λ微带线,所述1/2λ微带线一端接输出端口,所述1/2λ微带线另一端接地,在所述1/2λ微带线两侧各对称放置有两根L型1/4λ微带线,所述L型1/4λ微带线一端通过接地通孔(6)连接金属地(5),所述L型1/4λ微带线另一端与共面带线(7)相连;所述天线阵列通过调整金属地(5)的长度以及介质谐振器(1)与金属地(5)在辐射方向的间距,实现双向端射。

2.根据权利要求1所述的基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,其特征在于,所述两个介质谐振器(1)的高次模作为磁偶极子,通过微带双巴伦馈电网络(3)与两端的共面带线(7)进行馈电,实现天线的双向端射。

3.根据权利要求2所述的基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,其特征在于,所述两个介质谐振器(1)均为工作于高次模的矩形介质谐振器,采用介电常数为45与损耗角正切值为0.00019的陶瓷材料制成。

4.根据权利要求1所述的基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,其特征在于,所述基板(4)采用介电常数为3.55与损耗角正切值为0.0027的Rogers 4003C印刷电路板材制成。

5.根据权利要求1所述的基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,其特征在于,所述金属片(2)设置在介质谐振器(1)一侧面的中心;金属片(2)的宽度约为介质谐振器(1)一侧面宽度的三分之一;金属片(2)的长度等于介质谐振器(1)一侧面的高度。

6.根据权利要求1所述的基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,其特征在于,所述金属地(5)的长度约为0.6λ;所述介质谐振器(1)与金属地(5)在辐射方向的间距约为0.3λ;两个介质谐振器(1)的间距约为1.2λ,λ为天线工作频率对应的真空波长。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的基于介质谐振器高次模的高增益双向端射天线阵列,其特征在于,所述天线阵列的反射系数小于-10dB。

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