[发明专利]压变电容器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种压变电容器结构，其特征在于，包括:

基板；

第一栅极结构及第二栅极结构，设置在所述基板上，所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的每一个含有基部与多个线部连接于所述基部，其中所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的所述多个线部是交替配置；

蜿蜒扩散区域，形成在所述基板中，围绕所述多个线部；

第一组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在所述第一栅极结构及第二栅极结构的所述多个基部上；

第二组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在所述蜿蜒扩散区域上；

第一导电层，设置在所述第一组接触插塞的顶端；以及

第二导电层，设置在所述第二组接触插塞的顶端。

2.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，所述多个线部的每一个是单线结构。

3.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，所述多个线部的每一个在相对于所述基部的一端具有分支结构。

4.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，所述第一栅极结构的所述基部以及所述第二栅极结构的所述基部是设置在所述蜿蜒扩散区域的两边。

5.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，在所述蜿蜒扩散区域上的所述第二组接触插塞包括至少第一群组沿着所述蜿蜒扩散区域的第一蜿蜒线分布，以及第二群组沿着所述蜿蜒扩散区域的第二蜿蜒线分布，所述第一蜿蜒线平行于第二蜿蜒线。

6.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，在每一个所述基部上的所述第一组接触插塞包括至少第一群组沿着每一个所述基部的第一延伸线分布，以及第二群组沿着每一个所述基部的第二延伸线分布，所述第一延伸线平行于第二延伸线。

7.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，还包括保护圈在所述基板中，围绕所述第一栅极结构、所述第二栅极结构及所述蜿蜒扩散区域。

8.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，还包掺杂阱区在所述基板中，且在所述蜿蜒扩散区域、所述第一栅极结构及所述第二栅极结构下方。

9.一种压变电容器结构，其特征在于，包括:

基板；

第一封闭栅极结构及第二封闭栅极结构，设置在所述基板上，所述第一封闭栅极结构及所述第二封闭栅极结构的每一个包含:

基部；及

多个封圈，分别连接到所述基部，

其中所述第一封闭栅极结构及所述第二封闭栅极结构是交替配置；

扩散区域，形成在所述基板中，围绕所述多个封圈；

第一组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在每一个所述基部上；

第二组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在所述扩散区域上；

第一导电层，设置在所述第一组接触插塞的顶端；以及

第二导电层，设置在所述第二组接触插塞的顶端。

10.根据权利要求9所述的压变电容器结构，其特征在于，所述第一封闭栅极结构的所述基部与所述第二封闭栅极结构的所述基部是设置在所述扩散区域的两边。

11.根据权利要求9所述的压变电容器结构，其特征在于，所述扩散区域包含第一区域在所述多个封圈的内部以及低二区域在所述多个封圈的外部。

12.根据权利要求11所述的压变电容器结构，其特征在于，所述第二组接触插塞包含第一群组分布在所述扩散区域的所述第一区域上，构成二维阵列。

13.根据权利要求12所述的压变电容器结构，其特征在于，所述第二组接触插塞包含第二群组，以二维地分布在所述扩散区域的所述第二区域上。