[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括若干层沿所述衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层所述第一鳍部层之间的第二鳍部层；

在所述衬底上形成横跨所述鳍部结构的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖所述鳍部结构部分侧壁与部分顶部表面；

在所述伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成凹槽；

去除所述凹槽侧壁的部分所述第一鳍部层，形成第一修正鳍部层、第一鳍部凹槽和第二鳍部凹槽，所述第一鳍部凹槽位于底层的所述第一修正鳍部层和所述衬底之间，所述第二鳍部凹槽位于相邻两层的所述第二鳍部层之间；

形成位于所述第一鳍部凹槽内的第一阻挡层、以及位于所述第二鳍部凹槽内的第二阻挡层，所述第一阻挡层的厚度大于第二阻挡层的厚度，所述厚度的方向为垂直于所述第一阻挡层侧壁的方向；

在形成所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之后，在所述凹槽内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有源漏离子；

其中，所述第一阻挡层与所述第二阻挡层的形成方法包括：在所述凹槽侧壁与底部表面、以及所述伪栅极结构侧壁与顶部表面形成第一初始阻挡层；回刻蚀所述第一初始阻挡层，直至暴露出所述凹槽底部表面与所述伪栅极结构顶部表面为止，形成第二初始阻挡层；在所述凹槽底部形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第二初始阻挡层部分侧壁，且所述牺牲层的顶部表面低于或齐平于位于底层的所述第一修正鳍部层的顶部表面；回刻蚀所述第二初始阻挡层，直至暴露出所述第二鳍部层侧壁为止，形成所述第一阻挡层与所述第二阻挡层；在形成所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之后，去除所述牺牲层。

2.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一初始阻挡层的材料包括氮化硅。

3.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，形成所述第一初始阻挡层的工艺包括物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，回刻蚀所述第一初始阻挡层的工艺包括各向异性的干法刻蚀工艺或各向异性的湿法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，回刻蚀所述第二初始阻挡层的工艺包括各向异性的干法刻蚀工艺或各向异性的湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与所述第一初始阻挡层的材料不同，所述牺牲层的材料包括含碳氧元素的有机材料。

7.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述源漏掺杂层的形成工艺包括外延生长工艺；在所述源漏掺杂层内掺杂所述源漏离子的工艺包括原位掺杂工艺。

8.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述凹槽的形成方法包括：以所述伪栅极结构为掩膜刻蚀所述鳍部结构，直至暴露出所述衬底顶部表面为止，在所述伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成所述凹槽。

9.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括伪栅层。

10.如权利要求9所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述伪栅层的材料包括多晶硅或非晶硅。

11.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述鳍部结构的形成方法包括：在所述衬底上形成鳍部材料膜，所述鳍部材料膜包括若干层沿所述衬底表面法线方向重叠的第一鳍部膜、以及位于相邻两层第一鳍部膜中的第二鳍部膜；在所述鳍部材料膜上形成图形化层；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述鳍部材料膜，直至暴露出所述衬底顶部表面为止，形成所述鳍部结构，所述鳍部结构包括若干层沿所述衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层所述第一鳍部层之间的第二鳍部层。