[发明专利]导电性薄膜有效
| 申请号： | 201911241368.6 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111326277B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 小石直树;片桐正义;桥本尚树 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 薄膜 | ||
1.一种导电性薄膜，其依次具备第1金属层和树脂薄膜，
所述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，
所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下，
所述第1金属层的电阻率为50μΩcm以下，
所述第1金属层的表面电阻值为0.001Ω/□～10.0Ω/□。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的与所述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra为30nm以下。
3.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的所述第1金属层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。
4.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其还具备基底层，所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第1金属层之间。
5.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其还具备第2金属层，所述第2金属层配置于所述树脂薄膜的与所述第1金属层相反的一侧，
所述第2金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，
所述第2金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。
6.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的所述第2金属层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。
7.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra及所述第2金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Ra中的至少一者为0.5nm以上且10nm以下。
8.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其还具备基底层，所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第2金属层之间。
9.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述第1金属层的厚度与所述第2金属层的厚度之差的绝对值为5nm以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的导电性薄膜，其被卷绕成卷状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911241368.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柔性衬底以及柔性有机发光二极管器件
- 下一篇：基片处理方法和基片处理装置
