[发明专利]一种离子注入装置有效

专利信息
申请号: 201911242296.7 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111105971B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 刘金彪;王桂磊;王佳;刘青;李俊峰 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01L21/67
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 丛洪杰
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 离子 注入 装置
【权利要求书】:

1.一种离子注入装置,其特征在于,沿离子的运动方向,包括依次设置的起弧室和离子注入单元,所述离子注入单元包括底电极和横向电极;

所述底电极位于衬底远离离子束线的一面,所述横向电极位于衬底的侧面,所述底电极与横向电极之间周期性地施加射频。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,所述底电极与横向电极之间设有接地保护电极。

3.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,所述横向电极靠近离子束线一端的内壁设有朝向衬底的斜面。

4.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,所述横向电极内壁的形状与衬底侧面的形状相匹配。

5.根据权利要求1至4任一项所述的离子注入装置,其特征在于,还包括设于起弧室与离子注入单元之间的引出加速电极。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置,其特征在于,还包括设于引出加速电极与离子注入单元之间的减速电极,所述减速电极的电压与引出加速电极的电压大小相等且方向相反,使得离子进入离子注入单元时的能量为零。

7.根据权利要求6所述的离子注入装置,其特征在于,所述底电极施加脉冲偏置电源。

8.根据权利要求6所述的离子注入装置,其特征在于,所述起弧室与减速电极之间设有扫描电场,所述扫描电场的形状与衬底的形状相匹配。

9.根据权利要求1至4任一项所述的离子注入装置,其特征在于,还包括设于起弧室与离子注入单元之间的离子分选单元。

10.根据权利要求9所述的离子注入装置,其特征在于,所述离子分选单元包括第一离子分选器、第二离子分选器以及设于第一离子分选器与第二离子分选器之间的聚焦透镜。

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