[发明专利]基于弱增益耦合DFB激光器的宽带混沌激光器芯片有效
| 申请号： | 201911243193.2 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111129948B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王安帮;贺培鑫;赵彤;贾志伟;郭园园;王龙生;王云才 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/12;H01S5/065;H01S5/40 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 增益 耦合 dfb 激光器 宽带 混沌 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于弱增益耦合DFB激光器的宽带混沌激光器芯片，包括第一弱增益耦合DFB激光区（13）、第二弱增益耦合DFB激光区（15）和增益区（14），第一弱增益耦合DFB激光区（13）和第二弱增益耦合DFB激光区（15）进行互注入，增益区（14）位于第一弱增益耦合DFB激光区（13）和第二弱增益耦合DFB激光区（15）中间，其特征在于：所述第一弱增益耦合DFB激光区（13）和第二弱增益耦合DFB激光区（15）的脊波导的两侧均独立蒸镀驱动正电极（10），在第一弱增益耦合DFB激光区（13）和第二弱增益耦合DFB激光区（15）的脊波导的同一侧的InP盖层（6）与InGaAsP波导层（5）之间蒸镀四个温度电极（12），其中两个温度电极（12）分别位于两个DFB激光区远离增益区（14）的端部，其余两个温度电极（12）位于增益区（14）与两个DFB激光区的连接处，位于端部的两个温度电极（12）分别与相邻的温度电极（12）之间设置温控电阻（11）；
所述宽带混沌激光器芯片输出的混沌激光光谱线宽在0.4~0.8nm范围内连续可调。
2.根据权利要求1所述的基于弱增益耦合DFB激光器的宽带混沌激光器芯片，其特征在于：所述第一弱增益耦合DFB激光区（13）、第二弱增益耦合DFB激光区（15）和增益区（14）生长在同一Inp衬底（2）上。
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