[发明专利]沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备在审
| 申请号： | 201911243260.0 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928109A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;史波;吴佳蒙;曾丹;曹俊 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/082;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 赵凯莉 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 功率 器件 版图 结构 半导体 电子设备 | ||
1.一种沟道型功率器件版图结构，其特征在于，包括：多个版图单元；
每个所述版图单元具有栅极区以及四个环绕所述栅极区分布的沟道区，沿行方向或列方向，任意两个相邻的所述沟道区的沟道相互垂直。
2.根据权利要求1所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，每个所述沟道区具有用于与所述栅极区匹配的避让缺口。
3.根据权利要求2所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，每个所述沟道区包括并排设置的第一沟道组和第二沟道组；
所述第一沟道组的第一端与所述第二沟道组的第一端平齐，所述第二沟道组的第二端短于所述第二沟道组的第二端以形成所述避让缺口。
4.根据权利要求3所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，所述第一沟道组包括多条并排设置的第一沟道，所述第二沟道组包括多条并排设置的第二沟道。
5.根据权利要求4所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，任意两条相邻的所述第一沟道之间的间距与任意两条相邻的所述第二沟道之间的间距相等。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，所述版图单元数量为四个，每个所述版图单元为正方形。
7.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：器件本体；
所述器件本体具有如权利要求1-6中任一项所述的沟道型功率器件版图结构。
8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求7所示的半导体功率器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司，未经珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
