[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有隔离氧化层，在所述隔离氧化层上形成第二半导体器件；

在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层至少包括材料不同于所述隔离氧化层的第一掩模层，以及所述掩模层覆盖所述隔离氧化层和所述第二半导体器件，并且所述掩模层中位于所述隔离氧化层外侧的区域中还形成有掩模图形；

将所述掩模图形复制至所述衬底中，用于在所述隔离氧化层外侧的衬底上形成第一半导体器件；以及，

去除所述掩模层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述掩模层之前，还包括在所述衬底的顶表面上形成衬氧化层；以及，在形成所述掩模层时，所述掩模层覆盖所述衬氧化层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩模层的材料包括氮化硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，执行刻蚀工艺去除所述第一掩模层，以及所述刻蚀工艺的刻蚀剂包括磷酸。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩模层为至少两个堆叠设置的叠层结构，并且所述第一掩模层为所述叠层结构的最底层，以使所述第一掩模层直接覆盖在所述隔离氧化层上；

以及，所述叠层结构还包括第二掩模层，所述第二掩模层的材料不同于所述第一掩模层的材料。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩模层的方法包括：

执行第一刻蚀工艺，以去除所述第二掩模层，并刻蚀停止于所述第一掩模层上；以及，

执行第二刻蚀工艺，以去除所述第一掩模层。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩模层的厚度大于所述第一掩模层的厚度。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩模层的所述掩模图形包括至少一开口；

以及，将所述掩模图形复制至所述衬底中包括：在所述衬底中形成有至少一沟槽。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二半导体器件为温度传感器，所述第一半导体器件为沟槽栅场效应晶体管。

10.一种采用如权利要求1～9任一项所述的形成方法制备的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

衬底；

隔离氧化层，形成在所述衬底上；

第二半导体器件，形成在所述隔离氧化层上；以及，

第一半导体器件，形成在所述隔离氧化层外侧的衬底上。