[发明专利]一种3D打印点阵材料扫描路径的规划方法

权利要求书

1.一种3D打印点阵材料扫描路径的规划方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将点阵材料的三维模型进行分层处理，得到点阵材料的切片层；

步骤二、将步骤一中得到的切片层进行点阵材料识别处理，得到独立熔化单元，然后将得到的独立熔化单元从左到右且从上到下进行编号处理，得到独立熔化单元的编号为：1，2，3，……，n；其中，n为不小于1的正整数；所述独立熔化单元为切片层上独立的点阵材料结构；

步骤三、将步骤二中得到的经编号处理后的独立熔化单元进行轮廓扫描处理，得到独立熔化单元的轮廓线；

步骤四、将步骤三中得到的独立熔化单元的轮廓线向独立熔化单元的内部区域进行缩进处理；

步骤五、将步骤四中经缩进处理后的独立熔化单元进行网格化处理；所述网格化处理的过程为：将由相同正方形小网格单元组成的网格覆盖于经缩进处理后的独立熔化单元上，若经缩进处理后的独立熔化单元占正方形小网格内的面积不小于该小网格面积的30％时，则将该小网格进行步骤六中的编号处理，否则忽略该小网格；

步骤六、将步骤五中经网格化处理后的独立熔化单元上的小网格在该独立熔化单元上从左到右且从上到下进行编号处理，得到切片层的扫描路径为：

P_1,1，P_2,1，P_3,1，……，P_n,1；

P_1,2，P_2,2，P_3,2，……，P_n,2；

…，…，…，……，…；

P_1,m，P_2,m，P_3,m，……，P_n,m；其中，P_n,m为组成扫描路径的点，n为独立熔化单元的编号，m为独立熔化单元网格的编号，n和m均为不小于1的正整数；

步骤七、将步骤一中得到的切片层逐层依次进行步骤二的点阵材料识别处理和编号处理、步骤三的提取处理、步骤四的缩进处理、步骤五的网格化处理和步骤六的编号处理，得到的各切片层的扫描路径组成了3D打印点阵材料的扫描路径。

2.根据权利要求1所述的一种3D打印点阵材料扫描路径的规划方法，其特征在于，步骤一中所述切片层的层厚为20μm～100μm。

3.根据权利要求1所述的一种3D打印点阵材料扫描路径的规划方法，其特征在于，步骤四中所述缩进处理的距离为独立熔化单元在3D打印过程中形成的连续熔池宽度的50％，所述独立熔化单元在3D打印过程中形成的连续熔池的宽度采用单道次扫描的方法来确定。

4.根据权利要求1所述的一种3D打印点阵材料扫描路径的规划方法，其特征在于，步骤五中所述正方形小网格的边长为独立熔化单元在3D打印过程中形成的连续熔池宽度的50％～80％。