[发明专利]一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路在审
| 申请号： | 201911243547.3 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110855286A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 武唯康;廖春连;常迎辉;李斌;刘长龙;田素雷 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948;H03K19/003 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路5*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 瞬态 脉冲 反相器 加固 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路，其特征在于：包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管，第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第一、第二场效应晶体管的源极、漏极分别相连并且源极和第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第五场效应晶体管的源极和衬底同时接电源，第五场效应晶体管的漏级和第三场效应晶体管的源极相连，第六场效应晶体管的源极和衬底同时接地，第六场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的源极相连，第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管的栅极相连。
2.根据权利要求1所述的一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路，其特征在于：所述第一场效应晶体管、第三场效应晶体管、第五场效应晶体管均为P沟道场效应晶体管，第二场效应晶体管、第四场效应晶体管、第六场效应晶体管均为N沟道场效应晶体管。
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