[发明专利]一种太赫兹渡越时间器件半正弦电流脉冲可靠性试验装置有效

专利信息
申请号: 201911245889.9 申请日: 2019-12-07
公开(公告)号: CN111025112B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 韦文生 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 温州名创知识产权代理有限公司 33258 代理人: 陈加利
地址: 325000 浙江省温州市瓯海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 赫兹 时间 器件 正弦 电流 脉冲 可靠性 试验装置
【说明书】:

本发明提供一种太赫兹渡越时间器件半正弦电流脉冲可靠性试验装置,包括主控制器、正弦电压信号产生电路、半正弦加热电流脉冲形成电路、储放能电路。正弦电压信号产生电路把脉冲信号换成全波正弦电压信号;半正弦加热电流脉冲形成电路把全波正弦电压信号换成半正弦加热电流脉冲并加载于太赫兹渡越时间器件的阳极,储放能电路产生半正弦放电电流脉冲并加载于太赫兹渡越时间器件的阳极,开展可靠性试验;主控制器发出信号和控制指令,根据半正弦加热电流脉冲和半正弦放电电流脉冲通过太赫兹渡越时间器件后的参数判定可靠性状态。实施本发明,可对太赫兹渡越时间器件开展便捷、精准直观的半正弦电流脉冲可靠性试验,显示所用试验参数和可靠性指标。

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域,尤其涉及一种太赫兹渡越时间器件半正弦电流脉冲可靠性试验装置。

背景技术

在电子技术可靠性领域,电子器件的可靠性是电子设备、电子系统等产品可靠性的基础。根据相关的技术规范或技术条件研制可靠性试验装置,是检测电子器件质量和可靠性的必要技术手段。为了保证所设计的太赫兹渡越时间器件能够达到规定的可靠性指标、预报器件的可靠度,就要开展包括半正弦电流脉冲可靠性试验在内的系统性可靠性试验,获得相关的数据,预报所述器件或者应用所述器件的电子系统的可靠度,并为改进器件设计提供依据。

最近,电子器件可靠性日益受到重视。如,申请号为2019105972360、名称为“一种基于失效物理的多元Copula功率器件可靠性评价方法”的公开发明专利,该发明专利基于失效物理理论,从功率器件在实际工况下存在的失效机理和失效物理模型入手,推导多失效机理下功率器件的可靠度表达式,通过对比蒙特卡洛竞争失效的可靠性评价方法,证明多元Copula模型能够考虑各机理间的交叉影响因素,但没有提供任何装置方案。又如,申请号为2019104152557、名称为“一种功率器件可靠性的评估方法、装置以及存储介质”的公开发明专利,该发明专利从获取待评估的功率器件的属性入手,确定研究因子,建立可靠性评估模型,再评估功率器件的可靠性,但提出的功率器件可靠性评估装置没有给出针对性的电路实施方案。又如,申请号为2019102718832、名称为“一种电子产品可靠性水平预计方法”的公开发明专利,该发明专利在存储电子产品包含的全部元器件信息的基础上,建立元器件可靠性预计清单,根据可靠性预计标准数据库,计算、统计电子产品包含的全部元器件的可靠性水平值,与电子器件可靠性试验装置无关。又如,申请号为2019102827613、名称为“一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法”的公开发明专利,该发明专利通过释放功率器件终端区钝化层的膜内应力及可动离子,减小钝化层对终端区的影响,提升器件的功能及可靠性,但不涉及半导体器件可靠性试验装置。又如,申请号为201910099754X、名称为“一种提高化合物半导体器件可靠性能的背段工艺”的公开发明专利,该发明专利采用IPA浸润阻挡层的方法,控制曝光胶厚,确保阻挡层金属只存在于背孔内,减小器件接地电阻,并减少烧结孔隙率,能够提高器件的可靠性,但没有提供半导体器件可靠性试验的装置。又如,申请号为201910089275X、名称为“MMC功率模块的关键器件可靠性评估方法和装置”的公开发明专利,该发明专利使用测试获得的关键器件运行过程的性能参数来评估其可靠性,代替了传统技术中利用关键器件的故障数据信息来评估关键器件的可靠性,但是评估装置的结构框图与太赫兹渡越时间器件无关。又如,申请号为2018113841520、名称为“高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法、装置及模型”的公开发明专利,该发明专利基于半导体单元、模块中IGBT器件的评估参数,对IGBT器件的可靠性进行评估,评估结果准确且易于实现,但未涉及太赫兹渡越时间器件电流脉冲可靠性试验装置的电路方案。又如,申请号为201610442091.3、名称为“一种数字化二极管正向电流浪涌试验装置”的公开发明专利,该发明专利主要包括主控制器、正向电流及浪涌电流产生电路、正向电流输出电路、浪涌电流输出电路,但与太赫兹渡越时间器件电流脉冲可靠性试验装置的技术方案无关。

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