[发明专利]一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法

权利要求书

1.一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：a）利用丙酮和异丙醇清洗处理自支撑的氮化硅（或氧化硅）硅片，并用氮气吹干；b）利用镀膜技术，在自支撑硅片正面蒸镀100~200 nm厚度的磁性金属膜；c）利用聚焦离子束刻蚀，在自支撑硅片进行图案化刻蚀，聚焦离子束刻蚀将把镀膜后的自支撑硅片刻穿，形成镂空掩模板；d）将镂空掩模板正面贴于所需制备纳米结构的衬底上，并在衬底背面负载上磁铁，利用磁铁吸引，实现镂空掩模板与衬底的紧密贴合；e）进行镀膜，镀膜结束后移开磁铁和镂空掩模板，实现衬底上的纳米结构制备。

2.根据权利要求1所述的一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，其特征在于，所述镂空掩模板表面含有100~200 nm厚度的磁性金属膜。

3.根据权利要求1所述的一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，其特征在于，所述镀膜技术可为电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射的一种，所述磁性金属膜是指镍、钴、铁等一种或者多种合金的磁性膜。

4.根据权利要求1所述的一种磁场吸附辅助掩模蒸镀微纳结构的制备方法，其特征在于，所述镂空掩模板对外加磁场存在吸附响应，可使镂空掩模板会与衬底紧密贴合。