[发明专利]一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法有效
申请号: | 201911248276.0 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN111129310B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 保秦烨;段纯刚;熊少兵;侯彰钰 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H10K30/50 | 分类号: | H10K30/50;H10K30/80;H10K71/00;H10K85/50 |
代理公司: | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引入 辣椒素 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法,其特征在于采用辣椒素引入钙钛矿前驱体液中,以改善钙钛矿薄膜的成膜质量,具体制备包括以下步骤:
a步骤:前驱体溶液的制备
将碘化铅和碘甲胺溶于N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶液中,然后加入辣椒素,在60℃温度下混合溶解,配置成钙钛矿前驱体溶液,所述碘化铅与碘甲胺、N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的摩尔体积比为:1.0mol:0.4~1.2mol:0.5~1.5ml:0.05~0.15ml;
b步骤:PTAA薄膜的制备
将PTAA与F4TCNQ按1.0:0.1~0.5质量比溶于氯苯溶剂中,在60℃温度下溶解,配置成PTAA含量为2mg/ml的氯苯溶液为旋涂液,过滤后将其旋涂在导电玻璃基底上,然后在150℃温度下退火10分钟,得到导电玻璃基底上的PTAA薄膜,所述旋涂时间为20~50秒,旋涂转速为5000转/秒;
c步骤:钙钛矿薄膜的制备
将上述配置的前驱体溶液滴加在PTAA薄膜上,以4000转/秒的转速旋涂30秒,在旋涂开始4~10秒后滴加150微升氯苯,然后在100℃温度下退火10分钟,得到引入辣椒素的钙钛矿薄膜。
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