[发明专利]一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器在审
申请号: | 201911248554.2 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN111076770A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 帅垚;潘忻强;王杰军;乔石珺;罗文博;吴传贵 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感 元件 忆阻器 结合 多模态 智能 传感器 | ||
1.一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,由传感单元阵列和忆阻器阵列组成,其特征在于:
所述传感单元阵列中包括2-100000000个呈阵列排布的像素点,每一个像素点由n个不同类型的传感单元构成,2≤n≤10,各传感单元分别采集相应的信息,并将采集到的信息输入到忆阻器阵列中的输入端;忆阻器阵列中的输入端数量与传感单元的总数量相等,且传感单元与忆阻器阵列的输入端一一对应相连。
所述忆阻器阵列中以一个忆阻器单元的电阻值对应于人工神经网络中的一个权重,每一个忆阻器单元的电阻值通过前期训练过程的调整,调整电阻值后忆阻器阵列实现人工神经网络的识别判断的功能,即完成训练之后的忆阻器阵列实现人工神经网络的识别判断的功能;当输入上述各像素点信息时,根据当前的输入状况进行分类并输出识别判断的结果;并将识别决策判断的结果输出给中央处理器。
2.如权利要求1所述传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,其特征在于:所述传感单元阵列的像素点阵列规模为A×B,A为1到10000之间的任意整数值,B为1到10000之间的任意整数值,且A和B的值既可以相等也可以不相等。
3.如权利要求1所述传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,其特征在于:所述传感单元阵列的像素点上集成的传感单元为压力传感单元、温度传感单元、红外传感单元、光学传感单元、声学传感器或/和磁传感单元。
4.如权利要求1所述传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,其特征在于:所述传感器单元阵列的传感单元输出的信号不是电压脉冲信号时,将传感单元的输出信号经过外围电路的信号转换,转换成相应的电压脉冲信号;最终传感单元输入到忆阻器阵列的信号均为电压脉冲信号。
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