[发明专利]一种TSV转接板互连结构

权利要求书

1.一种TSV转接板互连结构，包括：

衬底；

第一导电硅通孔，所述第一导电硅通孔从所述衬底的底面向内部延伸，且未漏出所述衬底的顶面；

第二导电硅通孔，所述第二导电硅通孔从所述衬底的顶面向内部延伸，并与所述第一导电硅通孔的底部垂直电连接；

第一互连层，所述第一互连层设置在所述衬底的底面，且与所述第一导电硅通孔电连接；以及

第二互连层，所述第二互连层设置在所述衬底的顶面，且与所述第二导电硅通孔电连接。

2.如权利要求1所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第一导电硅通孔进一步包括第一硅通孔侧壁绝缘层、侧壁阻挡层、第一硅通孔导电互连层和第一硅通孔内部填充层。

3.如权利要求2所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第一互连层与所述第一硅通孔导电互连层通过一体化电镀形成。

4.如权利要求1所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第二导电硅通孔进一步包括第二硅通孔侧壁绝缘层、侧壁阻挡层、第二硅通孔导电互连层和第二硅通孔内部填充层。

5.如权利要求1所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第二导电硅通孔进一步包括第二硅通孔侧壁阻挡层和金属填充层。

6.如权利要求4或5所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第二互连层与所述第二硅通孔导电互连层或所述金属填充层通过一体化电镀形成。

7.如权利要求1所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第一导电硅通孔内的第一硅通孔导电互连层完全填充或部分填充第一导电硅通孔；和/或所述第二导电硅通孔内的第二硅通孔导电互连层完全填充或部分填充第二导电硅通孔。

8.如权利要求1所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，还包括：

第一焊接结构，所述第一焊接结构设置成与所述第一互连层电连接，实现封装结构与外部的电和或信号互连；以及

第二焊接结构；所述第二焊接结构设置成与所述第二互连层电连接，实现芯片与转接板的电和或信号互连。

9.如权利要求6所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，所述第一焊接结构为焊盘、铜柱或焊球，所述第二焊接结构为焊盘、铜柱或焊球。

10.如权利要求1所述的TSV转接板互连结构，其特征在于，还包括：

第一表面介质层，所述第一表面介质层设置在所述衬底的底面，起到对第一互连层同层导线间、临层金属间以及金属外漏表面的绝缘和保护作用；以及

第二表面介质层，所述第二表面介质层设置在所述衬底的顶面，起到对第二互连层同层导线间、临层金属间以及金属外漏表面的绝缘和保护作用。