[发明专利]一种阵列基板及显示面板在审

专利信息
申请号: 201911249088.X 申请日: 2019-12-09
公开(公告)号: CN111025801A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 吕晓文 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板
【说明书】:

发明公开了一种阵列基板及显示面板,所述阵列基板包括衬底基板以及阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元;所述像素单元包括公共电极以及位于所述公共电极上方的像素电极;其中,所述像素电极包括主电极和与所述主电极电连接的支电极,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。通过将公共电极的部分与主电极对应设置,利用主电极与公共电极形成存储电容,在不影响阵列基板的开口率的前提下,增加存储电容的电容量,从而降低漏电造成的电压变化,增加电位保持能力。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

液晶显示面板一般由阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层构成。在阵列基板中,一般会在像素电极下方设置公共电极,利用像素电极与公共电极形成的存储电容降低漏电造成的电压变化,增加电位保持能力,而为了增加存储电容的电容,一般采用增大公共电极的面积的办法。

然而,存储电容一般是以金属夹置绝缘层制成,公共电极不透光,公共电极的面积增大会造成开口率下降。

发明内容

本发明提供一种阵列基板,以解决公共电极不透光,公共电极的面积增大会造成开口率下降的技术问题。

为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:

一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板以及阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元,所述像素单元包括:

公共电极;

位于所述公共电极上方的像素电极;

其中,所述像素电极包括主电极和与所述主电极电连接的支电极,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。

在一些实施例中,所述公共电极包括第一公共电极线,所述第一公共电极线与所述主电极对应设置。

在一些实施例中,所述第一公共电极线的形状和尺寸与所述主电极的形状和尺寸相同。

在一些实施例中,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述支电极在所述衬底基板上的正投影不重合。

在一些实施例中,每一所述像素单元包括主区和副区,所述像素电极包括位于所述主区的第一像素电极和位于所述副区的第二像素电极;

其中,所述第二像素电极包括第二主电极和第二支电极,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。

在一些实施例中,所述第二主电极包括交叉设置的第一分体和第二分体,所述第一分体沿横向设置,所述第二分体沿纵向设置,所述第二支电极倾斜设置且所述第二支电极的边缘线与所述第一分体和所述第二分体的边缘线形成夹角。

在一些实施例中,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一分体在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。

在一些实施例中,所述阵列基板还包括:

设置于所述衬底基板上的第一金属层;

位于所述第一金属层与所述像素电极之间的第二金属层;

其中,所述公共电极与所述第一金属层同层设置。

在一些实施例中,所述第一金属层包括沿横向设置的扫描线,一条所述扫描线与一行所述像素单元对应设置;所述第二金属层包括沿纵向设置的数据线,一条所述数据线与一列像素单元对应设置,所述公共电极还包括靠近所述数据线设置且与所述数据线平行的第二公共电极线。

本发明还提供一种显示面板,所述显示面板包括彩膜基板以及如上述的阵列基板,所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。

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