[发明专利]一种宽光谱抗反射增透结构及其制备工艺及光栅

权利要求书

1.一种宽光谱抗反射增透结构，包括衬底，其特征在于，还包括设置于所述衬底至少一侧表面的若干锥状抗反射结构，锥状抗反射结构的底部横向尺寸为20～150nm，分布密度为3～20根/um²，若干锥状抗反射结构在不同高度范围内的数量百分比分布为：

2.根据权利要求1所述的一种宽光谱抗反射增透结构，其特征在于，若干锥状抗反射结构在不同底部横向尺寸范围内的数量百分比分布为：

3.根据权利要求1或2所述的一种宽光谱抗反射增透结构，其特征在于，若干锥状抗反射结构在衬底上的密度分布为：

4.如权利要求1-3任一项所述的一种宽光谱抗反射增透结构的制备工艺，其特征在于，包括：

步骤一、在衬底上设置光刻胶层，加热使光刻胶固定在衬底上形成掩膜层；

步骤二、采用等离子体轰击光刻胶层形成纳米纤维簇状的掩膜层；

步骤三、采用刻蚀工艺对衬底进行刻蚀处理，去除纳米纤维簇状的掩膜层形成具有锥状抗反射结构的衬底。

5.根据权利要求4所述的一种宽光谱抗反射增透结构的制备工艺，其特征在于，所述步骤一中，光刻胶层设置在衬底的正反两面；光刻胶层的负载厚度为3～10μm；加热的温度为120℃，处理时间为20～40min。

6.根据权利要求4或5所述的一种宽光谱抗反射增透结构的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中，先采用等离子体轰击光刻胶层使其形成纳米纤维状的结构，再继续用等离子体轰击纳米纤维状的结构使纳米纤维聚集后形成纳米纤维簇状的掩膜层。

7.根据权利要求6所述的一种宽光谱抗反射增透结构的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中，等离子体轰击处理为采用氧等离子体、氩等离子体、氮等离子体中的任意一种等离子体进行轰击处理，或者其中的任意两种等离子体交替轰击处理。

8.根据权利要求6所述的一种宽光谱抗反射增透结构的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中形成纳米纤维状的结构时采用的是氧等离子体处理工艺，其中，氧气的流量为30～60sccm，腔体压强为3～6Pa，时间为30～50min，整个轰击过程保持腔体功率为180～220W；

所述步骤二中形成纳米纤维簇状的掩膜层时采用的是氩等离子体处理工艺，其中，氩气的流量为10～30sccm，腔体压强为1～3Pa，时间为50～80min，整个轰击过程保持腔体功率为180～220W。

9.根据权利要求6所述的一种宽光谱抗反射增透结构的制备工艺，其特征在于，所述刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺或感应耦合等离子体刻蚀工艺；

在所述反应离子刻蚀工艺中，反应气体包括混合量为3～8sccm的六氟化硫和混合量为20～50sccm的三氟甲烷，流量为120～180sccm，刻蚀时间为40s～600s，保护气体为氦气。

10.一种微纳复合光栅结构，其特征在于，包括如权利要求1～3任意一项所述的一种宽光谱抗反射增透结构或者如权利要求4～9任意一项所述的工艺制备得到的一种宽光谱抗反射增透结构。