[发明专利]功率半导体器件的建模方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种功率半导体模块的建模方法，其特征在于，包括：

获取目标功率半导体模块的三维几何模型及其参数；其中，所述三维几何模型用于表示所述目标功率半导体模块的接线端子与各个功率半导体芯片的接线端口连接关系，所述参数包括所述接线端子与所述接线端口之间连接线路的尺寸参数以及所述连接线路的材料参数，所述接线端口包括低压端接线端口以及辅助低压端接线端口，对应地，所述接线端子包括低压端接线端子以及辅助低压端接线端子；所述辅助低压端接线端口从所述低压端接线端口引出至所述辅助低压端接线端子，或，所述辅助低压端接线端口从所述连接线路的预设位置引出至所述辅助低压端接线端子；

基于所述三维几何模型及其参数，计算所述接线端子与所述接线端口之间的寄生参数；其中，所述寄生参数用于表示所述连接线路之间的耦合关系，所述寄生参数包括寄生电感参数；

根据所述各个功率半导体芯片以及所述寄生参数，建立所述目标功率半导体模块的等效模型；

其中，所述基于所述三维几何模型及其参数，计算所述接线端子与所述接线端口之间的寄生参数，包括：

利用所述三维几何模型，确定所述辅助低压端接线端口的引出方式；

基于所述辅助低压端接线端口的引出方式以及所述三维几何模型的参数，计算所述接线端子与所述接线端口之间的寄生参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述辅助低压端接线端口从所述低压端接线端口引出时，所述基于所述辅助低压端接线端口的引出方式，计算所述接线端子与所述接线端口之间的寄生参数，包括：

利用所述三维几何模型的参数，分别计算各个所述功率半导体芯片的所述低压端接线端口与所述低压端接线端子之间的第一寄生电感参数，以及所述辅助低压端接线端口与所述辅助低压端接线端子之间的第二寄生电感参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述各个功率半导体芯片以及所述寄生参数，建立所述目标功率半导体模块的等效模型，包括：

利用所述第一寄生电感参数，确定与各个所述功率半导体芯片的所述低压端接线端口对应的第一电感；

利用所述第二寄生电感参数，确定与各个所述功率半导体芯片的所述辅助低压端接线端口对应的第二电感；

基于所述第一电感以及所述第二电感，建立所述等效模型；其中，所述第一电感以及所述第二电感对应接入所述半导体芯片的所述低压接线端口。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述辅助低压端接线端口从所述连接线路的预设位置引出至所述辅助低压端接线端子时，所述基于所述辅助低压端接线端口的引出方式，计算所述接线端子与所述接线端口之间的寄生参数，包括：

利用所述三维几何模型的参数以及所述预设位置，分别计算各个所述功率半导体芯片的所述低压端接线端口与所述预设位置之间的第三寄生电感参数、所述预设位置与所述低压端接线端子之间的第四寄生电感参数以及所述预设位置与所述辅助低压端接线端子之间的第五寄生电感参数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述各个功率半导体芯片以及所述寄生参数，建立所述目标功率半导体模块的等效模型，包括：

利用所述第三寄生电感参数，确定各个所述功率半导体芯片的所述低压端接线端口与所述预设位置之间的第三电感；

利用所述第四寄生电感参数，确定所述预设位置与所述低压端接线端子之间的第四电感；

利用所述第五寄生电感参数，确定所述预设位置与所述辅助低压端接线端子之间的第五电感；

基于所述第三电感、所述第四电感以及所述第五电感，建立所述等效模型；其中，所述第三电感的一端与所述低压端接线端口连接，另一端分别与所述第四寄生电感以及所述第五寄生电感的一端连接；所述第四寄生电感的另一端与所述低压端接线端子连接，所述第五寄生电感的另一端与所述辅助低压端接线端子连接。