[发明专利]阵列基板及液晶显示面板有效
申请号: | 201911250946.2 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN110928089B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 吕晓文 | 申请(专利权)人: | 苏州华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 液晶显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板,所述阵列基板包括基板、扫描线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述像素电极包括主干区和分支区,在所述像素电极区域,所述数据线沿所述主干区设置。本发明通过将不透明的数据线设置于同样是不透明的像素电极的主干区所在的区域,减小了所述阵列基板上的不透明区域,提高了所述阵列基板的开口率,有利于提升液晶显示面板的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示技术在当今的显示技术领域中占据重要地位。作为液晶显示技术的代表,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的制造和应用已经相当成熟,而垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶显示面板以其极高的对比度和宽的视野角等优势,在液晶电视等大尺寸显示器中广泛应用。
VA型液晶显示面板包括用于调整液晶偏转的薄膜晶体管阵列基板,在阵列基板上排布有较多的数据线、扫描线、薄膜晶体管和像素电极等,设置数据线、扫描线和薄膜晶体管的区域为非透明区,这些非透明区域严重限制了阵列基板开口率的提升。另外,为了减小数据线产生的电场对像素电极产生的电场的影响,会在数据线和像素电极之间设置不透明的屏蔽电极,屏蔽电极的存在会进一步缩小阵列基板的开口率。上述阵列基板结构特征与当今显示面板不断提升开口率的发展趋势相悖,因此需要对其结构进行改进。
发明内容
基于上述现有技术中的不足,本发明提供一种阵列基板及应用该阵列基板的液晶显示面板,通过将阵列基板中的数据线沿像素电极的主干区设置,消除了不透明的数据线对阵列基板开口率的影响,有利于提高阵列基板及液晶显示面板的开口率。
本发明提供一种阵列基板,包括:
基板;
数据线,设置于所述基板上;
扫描线,设置于所述基板上;
像素电极,设置于所述基板上,所述像素电极包括主干区和分支区;以及
薄膜晶体管,设置于所述基板上,与所述数据线、所述扫描线及所述像素电极电性连接;
其中,在所述像素电极区域,所述数据线沿所述主干区设置。
根据本发明一实施例,所述主干区包括沿第一方向设置的第一主干区和沿第二方向设置的第二主干区,所述第一主干区和所述第二主干区相交;
所述数据线沿所述第一主干区设置。
根据本发明一实施例,所述扫描线沿所述第二主干区设置。
根据本发明一实施例,所述主干区包括沿第一方向设置的第一主干区和沿第二方向设置的第二主干区,所述第一主干区和所述第二主干区相交;
所述数据线沿所述第一主干区设置至所述第一主干区和所述第二主干区的交汇处后,继续沿所述第二主干区设置。
根据本发明一实施例,所述数据线设置于所述像素电极的上层,所述数据线与所述像素电极绝缘。
根据本发明一实施例,所述数据线设置于所述像素电极的下层,所述数据线与所述像素电极绝缘。
根据本发明一实施例,在所述像素电极区域,所述数据线的宽度小于所述主干区的宽度。
根据本发明一实施例,所述像素电极为氧化铟锡电极。
根据本发明一实施例,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述扫描线与所述栅极电性连接,所述数据线与所述源极电性连接,所述像素电极与所述漏极电性连接。
本发明还提供了一种液晶显示面板,包括:
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