[发明专利]GaN肖特基二极管

权利要求书

1.一种GaN肖特基二极管，包括GaN肖特基二极管本体（20），所述二极管本体包括半绝缘GaN衬底（5），特征在于：所述半绝缘GaN衬底（5）的背面形成有金属图形（10），且所述金属图形（10）不覆盖整个衬底的背面。

2.如权利要求1所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述金属图形（10）的长度为30微米-50微米，宽度为10微米-20微米，整体面积为300平方微米-1000平方微米。

3.如权利要求1所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述金属图形（10）包括左右两部分，且两部分的形状和大小相同，两部分金属图形之间保持有间隔。

4.如权利要求1所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述GaN肖特基二极管本体包括半绝缘GaN衬底（5），所述半绝缘GaN衬底（5）的上表面设有重掺杂GaN层（6），所述半绝缘GaN衬底（5）的上表面还设有钝化层（1），所述钝化层（1）将所述重掺杂GaN层（6）分成左右两部分，每个所述重掺杂GaN层（6）的上表面为阶梯状，其中靠近所述肖特基二极管结内部的台阶面相对于外侧的台阶面较高，较高的台阶面上设有低掺杂GaN层（7），较低的台阶面上设有欧姆接触金属层（3），所述欧姆接触金属层（3）为所述肖特基二极管结的阴极，所述欧姆接触金属层（3）的上表面设有金属加厚层（4），其中的一个所述低掺杂GaN层（7）的上表面设有肖特基接触金属层（8），所述肖特基接触金属层（8）为所述肖特基二极管结的阳极，所述肖特基接触金属层（8）以外的低掺杂GaN层（7）上设有二氧化硅层（2），所述肖特基接触金属层（8）与位于另一侧的金属加厚层（4）之间通过空气桥（9）连接。

5.如权利要求4所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述钝化层（1）的制作材料为二氧化硅、氮化硅或金刚石。

6.如权利要求4所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触金属层（3）的制作金属自下而上为Ti/Al/Ni/Au。

7.如权利要求4所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基接触金属层（8）的制作金属自下而上为Ti/Pt/Au。

8.如权利要求4所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述半绝缘GaN衬底的厚度为2微米-3微米。

9.如权利要求4所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述金属图形（10）通过溅射和电镀的方式形成在所述衬底的背面。