[发明专利]显示面板及移动终端在审
申请号: | 201911251559.0 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN111106152A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 郑敏;金武谦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 移动 终端 | ||
本揭示提供一种显示面板及移动终端,所述显示面板阵列基板,所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素区域,所述子像素区域内设置有子像素驱动电路,相邻所述子像素区域之间形成感光区域;光电流传感器,所述光电流传感器设置于所述感光区域内,并与所述子像素驱动电路连接;显示器件层,设置于所述阵列基板和所述光电流传感器上;以及第一控制器,所述第一控制器与所述子像素驱动电路连接,利用光电流传感器对进入感光区域的外界光线亮度进行检测,将光信号转变为电信号,再通过第一控制器根据电信号识别遮挡区和未遮挡区,并对未遮挡区的子像素区域进行补偿,提升未遮挡区的亮度,实现显示面板以及移动终端遮挡区和未遮挡区对比度均一化。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及移动终端。
背景技术
当在户外使用移动终端时,若外界光线太强,在移动终端自身的亮度调节有限的情况下,需要用手或其他物体对外界光线进行遮挡,以提高被遮挡区的移动终端画面显示的对比度,从而看清被遮挡区的移动终端所显示的内容。
如图1所示,图1为本揭示提供的遮挡示意图,由于使用者的手或其他物体只能遮挡照射移动终端的部分外界光线①,使得移动终端存在未遮挡区A和遮挡区B,在外界光线①照射的情况下,进入遮挡区B的外界光线①的量小于未遮挡区A的量,使得遮挡区B的亮度大于未遮挡区A的亮度,因此遮挡区B的对比度要大于未遮挡区A的对比度,移动终端未遮挡区A画面的光线②和遮挡区B画面的光线②’射入人眼,并能够被人眼感知到未遮挡区A和遮挡区B亮度不均的问题。
综上所述,现有移动终端存在外界光照条件下,遮挡区和未遮挡区对比度不均一的问题。故,有必要提供一种显示面板及移动终端来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及移动终端,用于解决现有移动终端在光照条件下,遮挡区和未遮挡区对比度不均一的问题。
本揭示实施例提供一种显示面板,包括:
阵列基板,包括阵列排布的多个子像素区域,所述子像素区域内设置有子像素驱动电路,相邻所述子像素区域之间形成感光区域;
光电流传感器,设置于所述感光区域内,并与所述子像素驱动电路连接;
显示器件层,设置于所述阵列基板和所述光电流传感器上;以及
第一控制器,所述第一控制器与所述子像素驱动电路连接。
根据本揭示一实施例,所述光电流传感器包括层叠设置的栅极线层、沟道层和源漏电极层,所述沟道层的材料包括金属氧化物。
根据本揭示一实施例,所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。
根据本揭示一实施例,所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的缓冲层,所述光电流传感器设置于所述显示器件层与所述缓冲层之间。
根据本揭示一实施例,所述子像素驱动电路包括多个薄膜晶体管,多个所述薄膜晶体管中包括至少一个氧化物薄膜晶体管。
根据本揭示一实施例,所述氧化物薄膜晶体管与所述光电流传感器的结构相同,并与所述光电流传感器同层设置。
根据本揭示一实施例,多个所述薄膜晶体管中包括驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管设置于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧上,所述驱动薄膜晶体管包括第一沟道层、第一栅极线层和第一源漏电极层,所述第一栅极线层设置于所述第一沟道层远离所述衬底基板的一侧上。
根据本揭示一实施例,所述子像素驱动电路包括七个薄膜晶体管和一个储存电容。
根据本揭示一实施例,所述第一控制器为微处理器或中央处理器。
本揭示实施例还提供一种移动终端,包括如上述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911251559.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的