[发明专利]冷却装置及其控制方法、半导体加工设备

说明书

本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。

技术领域

本申请涉及半导体处理技术领域，具体而言，本申请涉及一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。

背景技术

目前，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺已广泛应用于发光二极管(LED)的生产中，在PVD工艺中加入氮化铝后，LED的产能及芯片性能都得到了很大的提升。在上述工艺过程中，工艺温度要达到600-700℃，但考虑到生产员工的人身安全，托盘取出后，温度要求降到60℃以下，所以加入了冷却腔对托盘进行冷却。

随着技术的发展及生产效率的提高，要求的生产节拍加快对于托盘的冷却成了瓶颈。要提高生产节拍，就需要提高冷却的降温速率，但是降温速率的提高，又增加了托盘破碎的风险。因此如何提高在提高冷却速率的同时还可以降低碎盘的风险，成为目前急需解决的问题。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备，用以解决现有技术存在冷却效率较低以及容易发生碎盘现象的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种冷却装置，用于对托盘进行冷却,包括：腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。

于本申请的一实施例中，所述腔室内还设置有温度检测单元，所述温度检测单元用于采集所述托盘的温度变化数据，所述加热单元用于根据所述温度变化数据调整对所述托盘的加热功率。

于本申请的一实施例中，所述温度检测单元包括多个温度传感器，多个所述温度传感器沿所述托盘径向排列设置于所述腔室顶部，分别用于采集所述托盘中部区域及边缘区域的温度变化数据。

于本申请的一实施例中，所述温度传感器为非接触式温度传感器。

于本申请的一实施例中，所述加热单元包括第一加热单元及第二加热单元，所述第一加热单元与所述托盘的中部区域对齐，所述第二加热单元与所述托盘边缘区域对齐设置。

于本申请的一实施例中，所述第一加热单元及所述第二加热单元均包括多个加热灯，多个所述加热灯均设置于所述腔室的顶部，且绕所述腔室的轴心呈圆周排布。

于本申请的一实施例中，所述加热单元与所述腔室壁之间还设置反射板，用于反射所述加热单元的热辐射。

于本申请的一实施例中，所述冷却单元位于所述腔室的底部；所述第一位置为所述冷却单元上方具有一间隔的位置，所述第二位置为所述冷却单元的上表面。

于本申请的一实施例中，所述冷却单元为设有液冷管路的冷却平台。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体加工设备，包括如第一个方面提供的冷却装置。